[發(fā)明專利]刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法、裝置、控制設(shè)備及校準(zhǔn)系統(tǒng)

在審

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• 申請日: 2021-11-23
• 公開（公告）號: CN114093783A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許曉青;李鎖印;吳愛華;韓志國;趙琳;張曉東
• 申請（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G01N23/2251
• 代理公司: 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 彭競馳

1.一種刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法，其特征在于，包括：

獲取微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值；

利用微納米幾何測量儀器測量所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板，得到所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值；

根據(jù)所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值和所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值確定所述微納米幾何測量儀器的修正系數(shù)，并根據(jù)所述修正系數(shù)對所述微納米幾何測量儀器進(jìn)行修正；

利用修正后的微納米幾何測量儀器對刻蝕機(jī)的參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法，其特征在于，

所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板包括微納米膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣板；

相應(yīng)的，所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值包括所述微納米膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書膜厚值；

所述微納米幾何測量儀器包括橢偏儀；

相應(yīng)的，所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值包括所述微納米膜厚樣板的偏振角和相位差。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法，其特征在于，所述根據(jù)所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值和所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值確定所述微納米幾何測量儀器的修正系數(shù)，包括：

根據(jù)所述微納米膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣板的偏振角和相位差，以及預(yù)先確定的膜厚橢偏關(guān)系式，確定所述微納米膜厚樣板的測量膜厚值；

所述微納米膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量膜厚值和所述微納米膜厚標(biāo)準(zhǔn)樣板的膜厚證書值確定所述橢偏儀的修正系數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法，其特征在于，所述利用修正后的微納米幾何測量儀器對刻蝕機(jī)的參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)，包括：

利用修正后的微納米幾何測量儀器測量被所述刻蝕機(jī)刻蝕前的膜厚實驗樣品，得到第一膜厚值；

利用修正后的微納米幾何測量儀器測量被所述刻蝕機(jī)刻蝕后的所述膜厚實驗樣品，得到第二膜厚值；

根據(jù)所述第一膜厚值和所述第二膜厚值，計算所述刻蝕機(jī)的實際刻蝕速率和刻蝕均勻性；

根據(jù)所述刻蝕機(jī)的實際刻蝕速率和刻蝕均勻性對所述刻蝕機(jī)的參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法，其特征在于，

所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板包括微納米光柵標(biāo)準(zhǔn)樣板；

相應(yīng)的，所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值包括所述微納米光柵標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值；

所述微納米幾何測量儀器包括掃描電鏡類測量儀器；

相應(yīng)的，所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值包括所述微納米光柵標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量線距值。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法，其特征在于，所述根據(jù)所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值和所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值確定所述微納米幾何測量儀器的修正系數(shù)，包括：

根據(jù)所述微納米光柵標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量線距值和所述微納米光柵標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值確定所述掃描電鏡類測量儀器的修正系數(shù)。

7.一種刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)裝置，其特征在于，包括：

獲取模塊，用于獲取微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值；

測量模塊，用于利用微納米幾何測量儀器測量所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板，得到所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值；

修正模塊，用于根據(jù)所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的測量值和所述微納米標(biāo)準(zhǔn)樣板的證書值確定所述微納米幾何測量儀器的修正系數(shù)，并根據(jù)所述修正系數(shù)對所述微納米幾何測量儀器進(jìn)行修正；

校準(zhǔn)模塊，用于利用修正后的微納米幾何測量儀器對刻蝕機(jī)的參數(shù)進(jìn)行校準(zhǔn)。

8.一種控制設(shè)備，包括存儲器、處理器以及存儲在所述存儲器中并可在所述處理器上運行的計算機(jī)程序，其特征在于，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實現(xiàn)如上的權(quán)利要求1至6中任一項所述刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法的步驟。

9.一種刻蝕機(jī)校準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的控制設(shè)備、掃描電鏡類測量儀器和橢偏儀；其中，所述掃描電鏡類測量儀器和所述橢偏儀均受控于所述控制設(shè)備。

10.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，所述計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)存儲有計算機(jī)程序，其特征在于，所述計算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)如上的權(quán)利要求1至6中任一項所述刻蝕機(jī)參數(shù)校準(zhǔn)方法的步驟。