[發明專利]一種復合硼鋁擴散源及其制備方法和半導體摻雜加工的方法

在審

• 申請號: 202111397121.0
• 申請日: 2021-11-23
• 公開（公告）號: CN114121623A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 阮岳峰;其他發明人請求不公開姓名
• 申請（專利權）人: 浙江尚能實業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/22
• 分類號: H01L21/22;H01L21/228
• 代理公司: 紹興上虞鴻鳴知識產權代理事務所(普通合伙) 33363
• 代理人: 馬鴻杰

1.一種復合硼鋁擴散源，其特征在于，按質量份數由正硅酸乙酯15-20份，乙二醇甲醚30-56份，九水硝酸鋁1-7份，乙醇25-35份，水2-5份，氧化硼2-11份混合而成。

2.一種復合硼鋁擴散源的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：1，按質量份數將正硅酸乙酯15-20份與乙醇25-35份均勻混合加熱至60-65℃；2，按質量份數加入乙二醇甲醚30-56份，攪拌均勻；3，按質量份數依次加入九水硝酸鋁1-7份與氧化硼2-11份，攪拌2-3h，將至室溫即得。

3.如權利要求5所述的一種復合硼鋁擴散源的制備方法，其特征在于，還包括步驟4，將步驟3制得的混合液采用0.5μm的濾芯壓力過濾。

4.一種復合硼鋁擴散源用于半導體摻雜加工的方法，其特征在于，包括以下步驟：1，將復合硼鋁擴散源均勻涂布于硅片表面，所述復合硼鋁擴散源按質量份數由正硅酸乙酯15-20份，乙二醇甲醚30-56份，九水硝酸鋁1-7份，乙醇25-35份，水2-5份，氧化硼2-11份混合而成；2，對硅片預烘加熱使得復合硼鋁擴散源形成固化的膜層；3，將硅片移動至擴散爐中進行熱擴散。

5.如權利要求7所述的一種復合硼鋁擴散源用于半導體摻雜加工的方法，其特征在于，步驟1中，復合硼鋁擴散源采用勻膠機涂布。