[發明專利]一種基于NiO/CuO異質結的人工突觸器件及其制備方法和應用

在審

• 申請號: 202111396198.6
• 申請日: 2021-11-23
• 公開（公告）號: CN114094010A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 張莉;唐振華;梁展恒;范召緣;姚帝杰;胡松程;羅江浩
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;G06N3/063
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 楊麗爽

1.一種基于NiO/CuO異質結的人工突觸器件，其特征在于，所述人工突觸器件包括導電基片、NiO/CuO異質結以及頂電極；

所述NiO/CuO異質結覆蓋在所述導電基片的上表面；

所述頂電極覆蓋在所述NiO/CuO異質結的上表面。

2.根據權利要求1所述的人工突觸器件，其特征在于，所述導電基片包括FTO導電玻璃和/或ITO導電玻璃。

3.根據權利要求1所述的人工突觸器件，其特征在于，所述頂電極包括金、銀、銅、鋁中的任意一種或多種。

4.權利要求1所述人工突觸器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、在導電基體的上表面沉積CuO，得到CuO/導電基底；

步驟2、在所述CuO/導電基底的上表面沉積NiO，得到NiO/CuO異質結/導電基底；

步驟3、在所述NiO/CuO異質結/導電基底的上表面沉積金、銀、銅、鋁中的任意一種或多種金屬，得到所述人工突觸器件。

5.根據權利要求4所述的人工突觸器件，其特征在于，步驟1、2、3中，所述沉積的方法包括真空蒸鍍法、真空濺射鍍法、真空離子鍍法以及溶膠凝膠法中的任意一種。

6.根據權利要求5所述的人工突觸器件，其特征在于，所述真空濺射鍍法制備CuO/導電基底的步驟包括：

步驟101、將銅或銅合金和導電基片分別放置在濺射腔室的負極和正極；

步驟102、對正極和負極施加高電壓，使所述濺射腔室輝光放電，得到沉積在所述導電基片上表面的CuO薄膜。

7.根據權利要求5所述的人工突觸器件，其特征在于，所述溶膠凝膠法制備NiO/CuO異質結/導電基底的步驟包括：

步驟201、將NiO前驅體凝膠旋涂到CuO薄膜上表面，得到NiO/CuO異質結前驅體；

步驟202、將所述NiO/CuO異質結前驅體依次進行熱解、退火，得到NiO/CuO異質結。

8.根據權利要求6所述的人工突觸器件，其特征在于，所述濺射腔室的真空度為0.3～0.8Pa；

所述濺射腔室的射頻電源功率為150～200W；

所述輝光放電的時間為15min，所述輝光放電的溫度為25℃。

9.根據權利要求7所述的人工突觸器件，其特征在于，所述熱解溫度為300-400℃，所述退火溫度為600-650℃。

10.權利要求1-3任一項所述的人工突觸器件或權利要求4-9所述制備方法制備得到的人工突觸器件在人工神經網絡系統領域中的應用。