[發明專利]一種高強度柱式瓷絕緣子的制備方法在審
| 申請號: | 202111394666.6 | 申請日: | 2021-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN114141455A | 公開(公告)日: | 2022-03-04 |
| 發明(設計)人: | 朱凌峰;陳清春;蔡金鑫;韓江 | 申請(專利權)人: | 江西正強電瓷電器有限公司 |
| 主分類號: | H01B19/00 | 分類號: | H01B19/00;H01B19/04;H01B17/14 |
| 代理公司: | 南昌賢達專利代理事務所(普通合伙) 36136 | 代理人: | 董艷 |
| 地址: | 337000*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 強度 柱式瓷 絕緣子 制備 方法 | ||
1.一種高強度柱式瓷絕緣子的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、瓷體的制備:按配比將瓷體的原料加入球磨機,加入原料總質量1~1.5倍的水進行球磨,球磨時間為8~15h得到泥漿;將泥漿過篩、除鐵,然后制泥、成型、干燥得到坯件,上釉;先以5~15℃/min的速度升溫至600~800℃,然后以15~25℃/min的速度升溫至1150~1250℃,保溫0.5~1.5h,再以25~35℃/min的速度升溫至1450~1650℃,保溫1~4h,冷卻至250℃以下,得到瓷體;趁熱將瓷體部分浸入強化釉層所用涂料,采用旋轉上釉法在瓷絕緣基體表面覆蓋涂料,取出、干燥;所述瓷體包括柱體和若干傘裙,頂層的傘裙為大傘徑,所述柱體頂端設有凹槽,所述柱體的下部為中空結構;所述強化釉層所用涂料包括以下重量份的原料:氟化溶膠溶液80~100份、硅灰石10~20份、三氧化二鋁10~20份、磷酸二氫銨1~5份、氧化鋅晶須1~5份、三聚磷酸鈉0.5~3份、磷酸二氫鈉0.5~3份,所述氟化溶膠溶液包括氟化SiO2-ZrO2-La2O3復合溶膠、疏水氣相納米二氧化硅和硅烷偶聯劑;
S2、異形瓷件的制備:所述異形瓷件包括連接體和圍繞連接體設置的針式傘裙,所述針式傘裙包括從外到內依次設置的第一傘棱、第二傘棱和第三傘棱,按照與瓷體相同的原料和方法制成坯件,上釉、燒成后得到異形瓷件,涂覆強化釉層所用涂料,干燥,然后在1050~1250℃煅燒1~3h,冷卻,再在異形瓷件表面涂覆半導體釉;
S3、燒結:將連接體嵌設于凹槽內,然后在1050~1250℃煅燒0.5~2h,連接體與凹槽之間形成粘結釉層從而連接瓷體和異形瓷件,冷卻得到瓷絕緣基體;
S4、裝配:在瓷絕緣基體的頂端設置上附件和線夾,底端設置鋼帽和固定裝置,得到高強度防雷絕緣子。
2.根據權利要求1所述的一種高強度柱式瓷絕緣子的制備方法,其特征在于,所述瓷體和異形瓷件包括以下重量份的原料:高嶺土25~35份、氧化鋁20~28份、鋁礬土20~28份、氧化鋯20~28份、石英15~25份、Al2O3-ZrO2-La2O3復合溶膠15~25份、氧化鎂3~10份、氧化鈰3~10份、氧化釤1~5份。
3.根據權利要求1所述的一種高強度柱式瓷絕緣子的制備方法,其特征在于,步驟S1中所述氟化溶膠溶液中SiO2-ZrO2-La2O3復合溶膠、疏水氣相納米二氧化硅、氟化劑和硅烷偶聯劑的質量比為10:1~3:1~2:1~3。
4.根據權利要求1所述的一種高強度柱式瓷絕緣子的制備方法,其特征在于,步驟S1中所述泥漿細度為0.38%~0.85%,過篩后的泥漿中10μm以下顆粒含量不小于50%,20μm以下顆粒含量不小于70%。
5.根據權利要求1所述的一種高強度柱式瓷絕緣子的制備方法,其特征在于,步驟S1中所述冷卻至250℃以下包括:先以100~200℃/min的速度降溫至750~850℃,然后以40~60℃/min的速度降溫至400~500℃,再以20~30℃/min的速度降溫至250℃以下。
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