[發明專利]納米材料、納米材料的制備方法及電致發光器件

在審

• 申請號: 202111389320.7
• 申請日: 2021-11-19
• 公開（公告）號: CN116156928A
• 公開（公告）日: 2023-05-23
• 發明（設計）人: 周禮寬;楊一行
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H10K50/16
• 分類號: H10K50/16;H10K99/00;C01G9/02;B82Y10/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 宋煜

1.一種納米材料，其特征在于，所述納米材料包括納米金屬氧化物，所述納米金屬氧化物表面包覆有金屬氫氧化物層。

2.根據權利要求1所述的納米材料，其特征在于，在所述金屬氫氧化物層中，所述金屬氫氧化物選自Al(OH)₃、LiOH或Mg(OH)₂中的至少一種。

3.根據權利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述納米金屬氧化物選自ZnO納米顆粒，和/或，摻雜Al的ZnO納米顆粒。

4.根據權利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述金屬氫氧化物層的厚度為0.5nm-1.5nm。

5.根據權利要求1所述的納米材料，其特征在于，所述納米材料由表面包覆有金屬氫氧化物層的納米金屬氧化物構成，和/或，所述納米金屬氧化物選自摻Al的ZnO納米顆粒，所述金屬氫氧化物選自Al(OH)₃。

6.一種納米材料的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

將納米金屬氧化物、金屬鹽以及堿溶液混合，得到表面包覆有金屬氫氧化物層的納米金屬氧化物。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，在所述堿溶液中，堿選自氫氧化鈉、氫氧化鉀或氫氧化鋰中的至少一種；和/或，

所述金屬鹽選自Al鹽、Li鹽或Mg鹽；和/或，

所述納米金屬氧化物選自ZnO納米顆粒或摻Al的ZnO納米顆粒中的至少一種；和/或，

所述納米金屬氧化物的濃度為0.5mg/mL至2mg/mL。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述金屬鹽選自氯化鋁、硫酸鋁或乙酸鋁，所述納米金屬氧化物選自摻Al的ZnO納米顆粒。

9.一種電致發光器件，其特征在于，包括：陰極、陽極以及設在所述陰極和陽極之間的電子傳輸層和發光層，所述發光層靠近所述陽極設置，所述電子傳輸層靠近所述陰極設置，所述電子傳輸層的材料包括權利要求1至5任一項所述的納米材料，或者包括由權利要求6至8任一項所述的方法制成的納米材料。

10.根據權利要求9所述的電致發光器件，其特征在于，

所述陽極選自銦錫氧化物、氟摻氧化錫、銦鋅氧化物、石墨烯或納米碳管中的一種或多種；和/或，

所述發光層的材料選自無鉻量子點，所述無鉻量子點的核選自InP、InGaP或InZnP中的至少一種；所述無鉻量子點的殼材料包括GaP、ZnSe、ZnSeS或ZnS中的一種或多種；和/或，

所述陰極選自Al、Ca、Ba、Ag中的一種或多種。