[發明專利]一種聚合物、固化膜、固化膜的制備方法、復合材料及其制備方法

在審

• 申請號: 202111388233.X
• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN114316217A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 朱焰焰;胡歡;王超;鄭杰
• 申請（專利權）人: 天諾光電材料股份有限公司
• 主分類號: C08G61/12
• 分類號: C08G61/12;C08J5/18;C08L65/00
• 代理公司: 濟南日新專利代理事務所(普通合伙) 37224
• 代理人: 劉亞寧

本發明涉及材料技術領域，具體涉及一種聚合物、固化膜、固化膜的制備方法、復合材料及其制備方法。其結構如式(I)所示： 其中n為5?200的正整數。采用所述聚合物制備得到固化膜和復合材料具有低介電、低損耗、低熱膨脹等良好的綜合性能，可以用作耐高溫材料，高性能復合材料，電子封裝材料，航空材料；同時可應用于5G/6G的高頻PCB板以及芯片的層間封裝等。

技術領域

本發明涉及材料技術領域，具體涉及一種聚合物、固化膜、固化膜的制備方法、復合材料及其制備方法。

背景技術

隨著半導體工業的快速發展，高性能低介電、低損耗材料的研制和開發得到高度重視。由于高頻高速的發展需求，超大規模集成電路尺寸逐漸縮小以及芯片內部的鏈接線路越來越密集，導致了信號的傳輸延遲和交叉干擾，對高性能低介電低損耗材料的需求也日益迫切。為了解決這些問題，要求材料必須滿足低介電、低損耗、高機械強度、高熱穩定性、低熱膨脹等綜合性能。

尋求新的可用于半導體生產的優質材料，是解決現有半導體行業材料緊缺的關鍵。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種聚合物、固化膜、固化膜的制備方法、復合材料及其制備方法。采用所述聚合物制備得到固化膜和復合材料具有低介電、低損耗、低熱膨脹等良好的綜合性能，可用于材料要求較高的半導體、芯片的生產。

為實現上述目的，本發明采用以下技術方案：

本發明提供一種聚合物，其結構如式(I)所示：

其中n為5-200的正整數。

進一步地，n為10-100的正整數。

本發明還提供以上所述聚合物的制備方法，在惰性氛圍下將三3，6-二溴苯并環丁烯、1，2，4，5-四氟苯于有機溶劑中混合，加入催化劑，在溫度為60-100℃條件下反應36～48h，反應結束之后，在乙醇中沉淀，即得。

所述的惰性氣體為氮氣、氬氣或者氦氣；所述的催化劑可選不同配體種類的鈀催化劑，優選醋酸鈀；所述有機溶劑包括但不僅限于二氯甲烷、三氯甲烷、四氯化碳、乙腈其中的一種或多種。

本發明還提供一種固化膜，所述固化膜成分包括式(I)所述聚合物。

所述固化膜的制備方法，包括以下步驟：將式(I)所述聚合物溶于有機溶劑中，制備質量濃度為0.1-5％的溶液；將所得溶液于勻膠機中成膜；在40-60℃保持10-15h；升溫至120-180℃保持4-8h；升溫至190-210℃保持3-6h；升溫至220-240℃保持1-5h；升溫至250-300℃保持1-5h，即得。

本發明還提供一種復合材料，包括式(I)所述聚合物2-5重量份，四甲基二乙烯基硅氧烷橋聯的苯并環丁烯10-15重量份。

本發明還提供以上所述復合材料的制備方法，將式(I)所述聚合物與四甲基二乙烯基硅氧烷橋聯的苯并環丁烯在60-100℃下混合攪拌均勻，進行脫氣泡處理；氣泡完全脫除后進行固化反應，即得。

進一步地，分4個階段進行固化反應：第一階段：升溫至150～160℃保持3～4h；第二階段：升溫至180～200℃保持3～5h；第三階段：升溫至210～220℃保持1～2h；第四階段：升溫至240～250℃保持1～2h。

與現有技術相比，本發明具有以下優勢：

本發明提供了一種新的聚合物，采用所述聚合物制備得到固化膜和復合材料具有低介電、低損耗、低熱膨脹等良好的綜合性能，可以用作耐高溫材料，高性能復合材料，電子封裝材料，航空材料；同時可應用于5G/6G的高頻PCB板以及芯片的層間封裝等。

本發明所述聚合物、固化膜及復合材料制備方法簡單，原料廉價易得，產率高，成本低，易于大規模生產應用。