[發明專利]數字微流控芯片

在審

• 申請號: 202111385262.0
• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN114023773A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 程鑫;劉榮躍;劉嘉澤;行亞茹;詹紹虎;李婕
• 申請（專利權）人: 南方科技大學
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 深圳市惠邦知識產權代理事務所 44271
• 代理人: 滿群

1.一種數字微流控芯片，其包括有源矩陣薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，還包括位于所述有源矩陣薄膜晶體管陣列基板上的分立式疏水膜、上蓋板、位于上蓋板底部的疏水膜以及注入在所述分立式疏水膜和疏水膜之間的液滴和硅油；

所述有源矩陣薄膜晶體管陣列基板包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、覆蓋所述柵極的柵介電層、位于所述柵介電層上且位于所述柵極上方的溝道區、分別位于所述溝道區兩側且均與所述溝道區接觸的源極和漏極；所述漏極和柵極均投影到同一個平面時漏極和柵極之間存在間距。

2.根據權利要求1所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述間距為1～微米100微米。

3.根據權利要求1所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述源極和柵極均投影到同一個平面時，所述源極和柵極之間具有重疊區域。

4.根據權利要求1所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述有源矩陣薄膜晶體管陣列基板還包括覆蓋多個薄膜晶體管的平坦層、位于所述平坦層上的且所述柵極上的屏蔽電極、位于所述屏蔽電極和平坦層上的絕緣層、位于所述絕緣層上且穿過所述絕緣層與所述漏極接觸的驅動電極，所述分立式疏水膜位于所述驅動電極上。

5.根據權利要求4所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述分立式疏水膜和所述有源矩陣薄膜晶體管陣列基板是分立的且分別單獨制造的。

6.根據權利要求1所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述分立式疏水膜包括介電層薄膜和位于所述介電層薄膜上的疏水層薄膜。

7.根據權利要求6所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述介電層薄膜包括絕緣的高分子化合物或高分子與氧化物的復合層。

8.根據權利要求6所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述介電層薄膜的厚度為500納米～20微米。

9.根據權利要求6所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述疏水層薄膜為氟化分子疏水膜。

10.根據權利要求9所述的數字微流控芯片，其特征在于，所述氟化分子疏水膜的厚度為10～100納米。