[發明專利]Nand flash存儲器的數字驗證方法及系統

在審

• 申請號: 202111385172.1
• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN114242153A
• 公開（公告）日: 2022-03-25
• 發明（設計）人: 田淼
• 申請（專利權）人: 四川和芯微電子股份有限公司
• 主分類號: G11C29/36
• 分類號: G11C29/36
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，包括如下步驟：

a.檢測Nand flash存儲器總線上的數據信息，計算并記錄所述數據的長度和位置；

b.隨機生成不同的數據錯誤位置，對錯誤位置進行記錄并排序；

c.根據記錄的錯誤位置對Nand flash存儲器內的數據進行造錯；

d.對造錯后的數據的位置進行標志。

2.如權利要求1所述的Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，在所述步驟a之前還包括步驟：預設復現造錯模式與固定長度模式。

3.如權利要求2所述的Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，所述復現造錯模式為，通過比對測試用例根目錄下讀取的原始數據文件和出錯后的數據而得出數據造錯的位置；所述固定長度模式為，輸入一固定長度作為所述數據信息的長度。

4.如權利要求1所述的Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，當檢測到總線上命令為寫命令時，記錄數據的長度并累加，直到接收到讀命令，且累加完成的數據長度為寫flash存儲器中的總數據長度。

5.如權利要求4所述的Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，給定的糾錯算法的最大糾錯能力確定造錯數據的個數。

6.如權利要求4所述的Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，所述錯誤位置包括所述步驟b中隨機生成的錯誤位置與測試案例中的固定錯誤位置。

7.如權利要求4所述的Nand flash存儲器的數字驗證方法，其特征在于，在所述步驟d中，產生第一標志信號與第二標志信號，所述第一標志信號在對應錯誤數據位置將電平變為高電平，所述錯誤數據由二進制編碼構成，而所述第二標志信號將所述二進制編碼的錯誤位置的電平變為高電平。

8.一種Nand flash存儲器的數字驗證系統，其特征在于，包括排序模塊、造錯模塊及標志模塊；所述排序模塊隨機生成數據錯誤位置，并對所述錯誤位置進行記錄與排序；所述造錯模塊計算數據的長度并對數據進行造錯；所述標志模塊根據數據造錯的位置，對錯誤數據進行標志并產生標志信號。

9.如權利要求8所述的Nand flash存儲器的數字驗證系統，其特征在于，在所述排序模塊中設置有不造錯能使端與造錯使能端，當打開不造錯能使端時，輸入所述Nand flash存儲器的數據不會被造錯，當打開造錯使能端時，輸入所述Nand flash存儲器的數據將會被造錯。

10.如權利要求8所述的Nand flash存儲器的數字驗證系統，其特征在于，所述造錯模塊對Nand flash存儲器上存儲的數據進行位取反操作，以完成造錯過程。