[發明專利]引線框架用逆流水洗的電鍍工藝

有效

• 申請號: 202111381602.2
• 申請日: 2021-11-22
• 公開（公告）號: CN113818058B
• 公開（公告）日: 2022-03-15
• 發明（設計）人: 任志軍;秦小波;段升紅;劉琪
• 申請（專利權）人: 新恒匯電子股份有限公司
• 主分類號: C25D5/10
• 分類號: C25D5/10;C25D5/34;C25D5/48;B08B3/02;C25D5/02
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司 37212
• 代理人: 姚運紅

本發明涉及導電線框的電鍍工藝技術領域，具體涉及一種引線框架用逆流水洗的電鍍工藝。所述的引線框架用逆流水洗的電鍍工藝，包括以下步驟：預水洗→顯影→一級逆流水洗→預鍍銅→二級逆流水洗→鍍銀→三級逆流水洗→烘干，新鮮水流入一級逆流水洗，一級逆流水洗流入一級逆流水洗，二級逆流水洗流入三級逆流水洗，三級逆流水洗與預水流直排，并且一級逆流水洗、一級逆流水洗、三級逆流水洗按照依次降低的方式成階梯狀分布。本發明提供一種引線框架用逆流水洗的電鍍工藝，解決了引線框的電鍍工藝中清洗中的用水量大，電鍍廢水產生量大，引線框架清洗較差問題。

技術領域

本發明涉及引線框的電鍍工藝技術領域，具體涉及一種引線框架用逆流水洗的電鍍工藝。

背景技術

隨著全球半導體行業競爭越發激烈，世界各技術強國都在爭相研發屬于自己的完全的半導體產業，引線框架作為半導體芯片的支撐框架，是半導體產業其中一個重要分支，而引線框架的制造中，電鍍工序是較為重要的一道工序，電鍍工序需要在指定位置鍍上合適厚度的干凈，致密性好的單鍍層或復合鍍層以滿足上晶片以后的焊線測試，而電鍍過程中，每道藥缸之間的水洗效果，直接影響到藥缸雜質離子的濃度及引線框架產品表面潔凈度，直接影響客戶端的焊線效果和穩定性，并且在電鍍工藝實施的過程中用水量大，對引線框架產品的潔凈程度不夠，影響后續工藝的使用。

CN104900536A公開了一種半導體引線框架的表面處理方法，包括超聲波除油、電解除油、水洗、硫酸中和活化、水洗、電鍍銅、水洗、酸中和、水洗、銅保護、水洗、熱水洗和烘干，主要以鍍層銅保護膜，達到保護的目的，并且操作步驟復雜，用水量較大。

CN102534711B公開了一種金屬板材電鍍清洗工藝中的節水方法，利用的工藝為開卷-堿洗-刷洗-堿沖洗-拉矯-酸洗-酸沖洗-電鍍-卷取，利用酸堿沖洗水達到節水的目的，雖然用水量降低，但是酸堿的中和增加了工藝的復雜性，不適用于導電線框的電鍍工藝。

CN209722349U公開了一種節水式電鍍三級水洗槽，該水洗槽設置了一級水洗槽、二級水洗槽、三級水洗槽、第一溢流口、第二溢流口、第二水泵和微孔膜過濾器，一級水洗槽的污水可供二級水洗槽使用，二級水洗槽使用可供一級水洗槽使用，微孔膜過濾器能夠對最終排出的污水進行過濾處理，實現節水目的的同時能夠對最終的污水進行過濾處理，避免直接排出污染環境。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種引線框架用逆流水洗的電鍍工藝，解決了引線框的電鍍工藝中清洗中的用水量大，電鍍廢水產生量大，引線框架清洗較差問題。

本發明所述的引線框架用逆流水洗的電鍍工藝，包括以下步驟：預水洗→顯影→一級逆流水洗→預鍍銅→二級逆流水洗→鍍銀→三級逆流水洗→烘干，新鮮水流入一級逆流水洗，一級逆流水洗流入二級逆流水洗，二級逆流水洗流入三級逆流水洗，三級逆流水洗與預水流直排，并且一級逆流水洗、二級逆流水洗、三級逆流水洗按照依次降低的方式成階梯狀分布；

所述的引線框架用逆流水洗的電鍍工藝，包括以下步驟：

(1)預水洗：采用DI噴淋水洗方式，水洗壓力為4-5PSI；

(2)顯影：將未曝光的干膜顯影，保留已曝光的干膜；

(3)一級逆流水洗：采用DI噴淋水洗方式，水洗壓力為9-10PSI；

(4)預鍍銅：在常溫下，鍍銅厚度為0.2-0.3μm，鍍液pH為9-11，電流密度為0.8-1.3ASD，銅含量為30-45g/L；

(5)二級逆流水洗：采用DI噴淋水洗方式，水洗壓力為12-13PSI；

(6)鍍銀：在常溫下，鍍銀厚度為1.5-8.9μm，鍍液pH為9-11中，鍍液比重為17-28，銀含量為50-60g/L；

(7)三級逆流水洗：采用DI噴淋水洗方式，水洗壓力為14-15PSI；