[發(fā)明專利]晶體管及其制作方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202111373226.2
• 申請日: 2021-11-19
• 公開（公告）號: CN114141708A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳黎暄;曹蔚然
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州華星光電顯示有限公司;深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/28;H01L51/40;C25D7/12;C25D17/10
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 孟霞

1.一種晶體管的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板、溶液、有源層材料及輔助電極；其中，所述基板包括依次疊設(shè)在一起的一襯底、至少一柵極及一柵極絕緣層；所述有源層材料分散在所述溶液中，分散在所述溶液中的所述有源層材料帶電；

將所述輔助電極置于所述基板的一側(cè)；并將所述溶液置于所述輔助電極和所述柵極絕緣層之間；及

給所述柵極及所述輔助電極通電，以在所述輔助電極和所述柵極之間形成電場；所述柵極的電性與溶液中的所述有源層材料所帶的電性相反，所述有源層材料在所述電場的作用下沉積在所述柵極絕緣層上，以形成有源層。

2.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述溶液被涂布或滴在所述柵極絕緣層上。

3.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述電場為垂直電場或水平電場。

4.如權(quán)利要求3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助電極面向所述柵極絕緣層；一個(gè)所述輔助電極對應(yīng)一個(gè)所述柵極。

5.如權(quán)利要求4所述的晶體管的制作方法，其特征在于，多個(gè)所述輔助電極形成在一個(gè)輔助基板上，所述輔助基板位于所述基板的上方。

6.如權(quán)利要求3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助電極位于所述襯底上且與至少一個(gè)所述柵極相鄰。

7.如權(quán)利要求6所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助電極位于相鄰的兩個(gè)所述柵極之間。

8.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助電極與所述柵極位于所述襯底的同一表面上。

9.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助電極與所述柵極位于所述襯底的相背的表面上。

10.如權(quán)利要求7所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述輔助電極接地。

11.如權(quán)利要求3所述的晶體管的制作方法，其特征在于，相鄰的兩個(gè)所述柵極中的一個(gè)作為所述輔助電極。

12.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述有源層材料為氧化物半導(dǎo)體、量子點(diǎn)、鈣鈦礦類材料以及有機(jī)半導(dǎo)體材料中的至少一種。

13.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述溶液的溶劑為極性溶劑體系或非極性溶劑體系。

14.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述有源層材料在所述溶液中帶有正電或負(fù)電；

當(dāng)所述有源層材料在所述溶液中帶有正電時(shí)，所述柵極內(nèi)的電為負(fù)電，所述輔助電極內(nèi)的電為正電；及

當(dāng)所述有源層材料在所述溶液中帶有負(fù)電時(shí)，所述柵極內(nèi)的電為正電，所述輔助電極內(nèi)的電為負(fù)電。

15.如權(quán)利要求1所述的晶體管的制作方法，其特征在于，定義所述有源層材料在所述溶液中的質(zhì)量百分比為W％，沉積形成的所述有源層的厚度為h，所述溶液的高度為H，沉積形成的所述有源層的密度為ρ，則W％＝ρ*h/H。

16.如權(quán)利要求1至15任一項(xiàng)所述的晶體管的制作方法，其特征在于，所述有源層包括溝道區(qū)，所述晶體管的制作方法還包括：

在所述有源層上形成源漏極層，所述源漏極層包括源極及漏極，所述溝道區(qū)正對相鄰的所述源極及所述漏極之間的間隙。