[發(fā)明專利]一種紅外隱身柔性薄膜和其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111372177.0 | 申請日： | 2021-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN114089448A | 公開（公告）日： | 2022-02-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 俞磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫奧夫特光學(xué)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G02B1/115 | 分類號： | G02B1/115;C23C14/30;C23C14/26;C23C14/20;C23C14/06 |
| 代理公司： | 無錫蘇元專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32471 | 代理人： | 王清偉 |
| 地址： | 214000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 紅外 隱身 柔性 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種紅外隱身柔性薄膜，其特征在于，包括柔性的基底和表面的鍍膜層，所述的鍍膜層由高折射率材料和低折射率材料交替而成，在8-14μm波段平均反射率95％。
2.如權(quán)利要求1所述的紅外隱身柔性薄膜，其特征在于，所述柔性基底為聚酰亞胺族耐高溫塑料薄膜。
3.如權(quán)利要求1所述的紅外隱身柔性薄膜，其特征在于，所述的高折射率材料為：Ge或Si；所述的低折射率材料為：ZnS或ZnSe。
4.權(quán)利要求1所述的紅外隱身柔性薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、將基底展開固定在鍍膜機鍍膜工裝上；
S2、抽真空，加熱；
S3、離子轟擊去除吸附分子，清潔基底；
S4、用電子束或電阻加熱鍍膜材料，一層鍍至設(shè)定厚度，再鍍另一層，一層層交替疊加，直至鍍完設(shè)計的所有膜層。
5.如權(quán)利要求4所述的紅外隱身柔性薄膜的制備方法，其特征在于，鍍膜真空優(yōu)于或等于1E10-3Pa。
6.如權(quán)利要求4所述的紅外隱身柔性薄膜的制備方法，其特征在于，鍍膜溫度為150～200℃。
7.如權(quán)利要求4所述的紅外隱身柔性薄膜的制備方法，其特征在于，材料厚度的控制通過晶振頻率變化控制。
8.如權(quán)利要求4所述的紅外隱身柔性薄膜的制備方法，其特征在于，離子源選用霍爾離子源，工作氣體使用氬氣，功率200-800W。
9.權(quán)利要求4所述的紅外隱身柔性薄膜的制備方法，其特征在于，S4中每層厚度一般在20納米～3微米之間。
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