[發明專利]一種半導體器件及其控制方法

在審

• 申請號: 202111371702.7
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN113949250A
• 公開（公告）日: 2022-01-18
• 發明（設計）人: 馮宇翔;張土明;潘志堅;左安超;謝榮才
• 申請（專利權）人: 廣東匯芯半導體有限公司
• 主分類號: H02M1/088
• 分類號: H02M1/088;H02H7/12
• 代理公司: 江門市博盈知識產權代理事務所(普通合伙) 44577
• 代理人: 何辦君

1.一種半導體器件，包括HIVC驅動邏輯電路、上橋臂驅動信號輸出電路及下橋臂驅動信號輸出電路，所述上橋臂驅動信號輸出電路及下橋臂驅動信號輸出電路均與所述HIVC驅動邏輯電路電性連接，其特征在于：所述HIVC驅動邏輯電路包括PWM信號緩存電路、上橋臂驅動電路、下橋臂驅動電路及故障邏輯控制電路，所述PWM信號緩存電路、下橋臂驅動電路、故障邏輯控制電路均與所述上橋臂驅動電路電性連接。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述PWM信號緩存電路包括若干個施密特觸發器、若干個濾波電路及若干個電位位移電路，所述濾波電路分別與所述施密特觸發器及電位位移電路電性連接。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于：所述上橋臂驅動電路包括若干個死區互鎖電路、延時電路、脈沖產生電路、驅動導通電路及濾波整流電路、鎖存器電路，所述死區互鎖電路分別與延時電路及脈沖產生電路電性連接，所述驅動導通電路分別與脈沖產生電路及濾波整流電路電性連接，所述鎖存器電路與濾波整流電路電性連接。

4.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：所述下橋臂驅動電路比較器、MOSFET管MOS5及MOSFET管MOS6，所述比較器分別與所述延時電路、脈沖產生電路、MOSFET管MOS5及MOSFET管MOS6電性連接。

5.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于：還包括使能驅動電路、電源欠壓保護電路及故障輸出電路，所述使能驅動電路及電源欠壓保護電路均分別與所述濾波電路及故障邏輯控制電路電性連接，所述故障輸出電路分別與所述施密特觸發器及濾波電路電性連接。

6.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：所述驅動導通電路包括MOSFET管MOS1、MOSFET管MOS2,所述濾波整流電路包括DV/DT濾波器及UV濾波器，所述鎖存器電路包括鎖存器、或非邏輯門、MOSFET管MOS3及MOSFET管MOS4，所述MOSFET管MOS1及MOSFET管MOS2均分別與所述脈沖產生電路、DV/DT濾波器及UV濾波器電性連接，所述鎖存器分別與DV/DT濾波器、UV濾波器及或非邏輯門電性連接，所述MOSFET管MOS3及MOSFET管MOS4均與所述或非邏輯門電性連接。

7.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于：所述脈沖產生電路包括第一脈沖發生電路及第二脈沖發生電路，所述第一脈沖發生電路接入HIN輸入信號，所述延時電路分別與第一脈沖發生電路及第二脈沖發生電路電性連接，所述第二脈沖發生電路與所述驅動導通電路電性連接。

8.一種半導體器件控制方法，其特征在于：HIN信號輸入端輸入驅動高電平信號，經過施密特電路濾波處理，然后電平轉換電路輸出HIN脈沖信號,所述HIN脈沖信號經過信號處理輸出上升沿和下降沿分別來驅動MOSFET管MOS1、MOSFET管MOS2，由電壓泵形成的電壓升降，實現高低電壓分離，所述MOSFET管MOS1、MOSFET管MOS2的導通信號和關斷信號直接發送到RS觸發器暫存并輸出脈沖信號分別給到MOSFET管MOS3及MOSFET管MOS4，從而實現控制HO驅動信號與HIN驅動信號同步。

9.根據權利要求8所述的半導體器件控制方法，其特征在于：當所述HIN脈沖信號輸入為高電平時，通過雙脈沖發生電路檢測到HIN上升沿信號，所述雙脈沖發生電路的HINA端會輸出一個脈沖信號，MOSFET管MOS1開通一次，通過預設的延時時間，再進行第二次脈沖信號輸出，此時RS觸發器的S端為低電平有效，RS觸發器的Q端輸出為高電平，此時脈沖發生電路的HINB端為低電平，MOSFET管MOS2為截至狀態；當雙脈沖發生電路檢測到HIN脈沖信號為下降沿信號時，所述HINB端會輸出一個脈沖信號，MOSFET管MOS2開通，所述觸發器的R端為低電平，所述觸發器的Q端為高電平，此時HINA端為低電平，MOSFET管MOS1為截止狀態。