[發明專利]一種基于Genesis的防焊大銅面自動設計方法在審
| 申請號: | 202111371483.2 | 申請日: | 2021-11-18 |
| 公開(公告)號: | CN114036897A | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發明(設計)人: | 吳國東;郭敏 | 申請(專利權)人: | 無錫東領智能科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F30/398 | 分類號: | G06F30/398 |
| 代理公司: | 無錫永樂唯勤專利代理事務所(普通合伙) 32369 | 代理人: | 章陸一 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新吳區震*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 genesis 防焊大銅面 自動 設計 方法 | ||
1.一種基于Genesis的防焊大銅面自動設計方法,其特征在于:所述方法包括以下步驟:
S1、拷貝防焊面對應的線路層的所有大銅面到一個輔助層big_copper_layer;
S2、在防焊面對應線路層上面找出所有的需要防焊開窗的盤,同時盤有碰到步驟1所準備的big_copper_layer層上對應元素,把這些滿足的盤統一放到pad_touch_copper輔助層;
S3、基于步驟2準備的輔助層pad_touch_copper上面所有的pad,找到其在防焊開窗層上面的原始設計開窗,并把這部分開窗拷貝到pad_opening輔助層,同時通過屬性去除掉用戶定義不需要處理的特殊開窗情況,檢查此輔助層上開窗大小基于線路層盤大小是否滿足廠內制作最優開窗大小,如果沒有達到,系統自動加大開窗大小滿足要求,最優開窗大小通過參數設定,缺省值為單邊最優為1.5mil;
S4、把步驟1準備的大銅面臨時層big_copper_layer拷貝到opt_big_copper并單邊加大最小的防焊需要覆蓋的尺寸;
S5、把步驟2準備的pad_touch_copper輔助層上面所有的元素單邊加大2倍的最優銅面開窗單邊大小加上最小的防焊需要覆蓋尺寸以負極性拷貝到步驟4定義的opt_big_copper層,形成新的銅面形狀;
S6、對opt_big_copper銅面通過sel_cont_resize命令進行優化,優化參數為:
accuracy=0.1,break_to_islands=yes,island_size=0,hole_size=0,drill_filter=no,corner_ctl=no;同時對opt_big_copper輔助層銅面做單邊加大最小的防焊需要覆蓋尺寸動作,以恢復在前面步驟5多去除的部分;
S7、把步驟3制作的輔助層pad_opening單邊放大2mil拷貝到新的輔助層correct_sm_opening,然后把opt_big_copper輔助層上面的所有元素以負片的形式拷貝到correct_sm_opening輔助層,并處理成銅面,并做銅面優化,優化功能用sel_cont_resize,優化參數為:
accuracy=0.1,break_to_islands=yes,island_size=0,hole_size=0,drill_filter=no,corner_ctl=no;
S8、制作銅面上開窗需要去掉部分元素輔助層,把步驟3制作的輔助層pad_opening單邊放大1mil拷貝到新的輔助層sm_opening_free,以負片的形式拷貝步驟7定義的correct_sm_opening輔助層上所有元素到sm_opening_free,并做銅面優化處理;
S9、去除小細絲處理,把需要優化的防焊層拷貝到臨時層tmp_layer,把步驟8制作好的sm_opening_free以負片的形式拷貝到臨時層tmp_layer,同時做銅面優化處理,處理后拷貝這些元素到輔助層sliver_layer,同時對tmp_layer做縮小單邊1mil和放大1mil銅面尺寸處理,然后放大單邊0.05mil以負片的形式到sliver_layer,同時做銅面優化處理,處理后sliver_layer上面的元素就是需要去除的細絲部分;
S10、把sliver_layer上面元素放大單邊0.05mil拷貝到sm_opening_free層上面,這樣就形成了防焊層需要去除的大銅面開窗部分;
S11、把sliver_layer層以負片拷貝到正式防焊層就完成了大銅面上開窗部分需要縮小制作工藝。
2.根據權利要求1所述的一種基于Genesis的防焊大銅面自動設計方法,其特征在于:所述步驟1中的大銅面也包括了滿足條件的粗線路及圓弧,滿足粗線路的條件可以通過參數設定,缺省值為5mil及以上線路。
3.根據權利要求1所述的一種基于Genesis的防焊大銅面自動設計方法,其特征在于:所述步驟4中的尺寸有參數定義,默認值為0.5mil。
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