[發明專利]一種多芯片上多尺寸的微凸點制備方法

在審

• 申請號: 202111370657.3
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN114093779A
• 公開（公告）日: 2022-02-25
• 發明（設計）人: 袁淵
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十八研究所
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56
• 代理公司: 無錫派爾特知識產權代理事務所(普通合伙) 32340
• 代理人: 葉昕;楊立秋

1.一種多芯片上多尺寸的微凸點制備方法，其特征在于，包括：

通過高精度裝片工藝將多顆需要微凸點制備的芯片裝載在臨時鍵合膜上；

通過模塑工藝將裝載在臨時鍵合膜上的多顆芯片注塑成型，重構形成圓片；

將圓片上的臨時鍵合膜進行解鍵合后，根據不同芯片的焊盤尺寸，通過光刻技術在重構后芯片的焊盤上形成不同開口尺寸的鈍化層；

進行種子層濺射，為后續電鍍工藝形成導電層，并提升電鍍凸點的質量；

利用光刻膠在開口的焊盤上圖像化出不同尺寸微凸點所需的電鍍空間；

通過一次電鍍完成重構后芯片上不同尺寸的微凸點；

通過不同溶液依次去除圖像化后的光刻膠和種子層；

將重構圓片進行回流，完成不同尺寸微凸點的制備；

將圓片減薄后切割形成單顆芯片，最終完成多芯片上不同尺寸微凸點的制備。

2.如權利要求1所述的多芯片上多尺寸的微凸點制備方法，其特征在于，裝載在臨時鍵合膜上的芯片種類、數量和位置能夠根據實際進行調整，多顆芯片形成一個單元，該單元的尺寸控制在30mm×30mm內，以保持重構單元的翹曲程度。

3.如權利要求2所述的多芯片上多尺寸的微凸點制備方法，其特征在于，濺射形成的種子層為鈦銅混合材質，或鈦銅鎳混合材質，所述種子層的厚度依據實際工藝進行調整。

4.如權利要求3所述的多芯片上多尺寸的微凸點制備方法，其特征在于，利用光刻膠能夠形成任意尺寸空間，根據需求定義芯片的焊盤和電鍍開口的大小；通過控制各芯片上不同的焊盤尺寸開口，光刻形成不同尺寸的電鍍空間，電鍍不同體積的焊料，完成在各芯片焊盤上不同尺寸的微凸點制備。

5.如權利要求4所述的多芯片上多尺寸的微凸點制備方法，其特征在于，所述微凸點的成分為銅柱錫帽。