[發明專利]一種單相Bi4 有效
| 申請號： | 202111370346.7 | 申請日： | 2021-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN114180955B | 公開（公告）日： | 2023-03-21 |
| 發明（設計）人： | 戴英;孫思齊;張倩;裴新美 | 申請（專利權）人： | 武漢理工大學 |
| 主分類號： | C04B35/453 | 分類號： | C04B35/453;C04B35/622;C04B35/638 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 官群 |
| 地址： | 430070 湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 單相 bi base sub | ||
1.一種單相Bi4B16O30陶瓷的超低溫燒結制備方法，其特征在于，具體步驟如下：
1）以B2O3粉末和Bi2O3粉末為原料，將原料按照Bi4B16O30化學計量比進行稱量，備用；
2）將步驟1）稱量好的B2O3粉末和Bi2O3粉末加入球磨罐中進行球磨，球磨工藝條件為：使用行星式球磨機干法球磨，轉速300~400轉/min，球磨2~4小時，球磨后預燒合成所需物相，預燒合成粉料工藝條件為：在密封的容器中燒結，預燒溫度為680~690℃，預燒時間為50~70小時，得到粉料；
3）將步驟2）所得粉料進行二次球磨，所得粉末干燥后造粒壓片再排膠、燒結得到單相Bi4B16O30陶瓷，燒結工藝條件為：置于密封容器內燒結，室溫下以3~5℃/min的升溫速率升溫至700～715℃，保溫6~8小時。
2.根據權利要求1所述的單相Bi4B16O30陶瓷的超低溫燒結制備方法，其特征在于，步驟1）所述B2O3粉末和Bi2O3粉末純度≥99%。
3.根據權利要求1所述的單相Bi4B16O30陶瓷的超低溫燒結制備方法，其特征在于，步驟3）二次球磨工藝條件為：使用行星式球磨機進行球磨，以異丙醇或無水乙醇為溶劑，轉速400~500轉/min，球磨時間為6~10小時。
4.根據權利要求1所述的單相Bi4B16O30陶瓷的超低溫燒結制備方法，其特征在于，步驟3）造粒壓片工藝條件為：以質量分數為5%的聚乙烯醇溶液為粘合劑，按照1滴粘結劑/克粉料的量添加粘結劑進行造粒，壓片的壓力為100~120Mpa。
5.根據權利要求1所述的單相Bi4B16O30陶瓷的超低溫燒結制備方法，其特征在于，步驟3）排膠工藝條件為：在300～500℃下加熱6～12小時。
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