[發明專利]CMOS器件的制造方法在審
| 申請號： | 202111370237.5 | 申請日： | 2021-11-18 |
| 公開（公告）號： | CN114068412A | 公開（公告）日： | 2022-02-18 |
| 發明（設計）人： | 張廣冰;許忠義 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8238 | 分類號： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴廣志 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | cmos 器件 制造 方法 | ||
1.一種CMOS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一襯底；
在所述襯底上形成犧牲氧化層；
對所述犧牲氧化層和所述襯底執行氟離子注入工藝，其中，所述氟離子注入和擴散至部分厚度的所述襯底中；
去除所述犧牲氧化層；以及，
采用熱氧化工藝在所述襯底上形成柵氧化層，其中，所述襯底表面的氟離子參與所述熱氧化工藝以在所述柵氧化層中形成硅氟鍵。
2.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用熱氧化工藝形成所述柵氧化層的過程中，參與所述熱氧化工藝的氣體為O2，氣體流量為10SLM～20SLM，工藝溫度為700℃～950℃。
3.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用熱氧化工藝形成所述柵氧化層的過程中，參與所述熱氧化工藝的氣體為H2和O2，H2的流量為1SLM～10SLM，O2的流量為1SLM～20SLM，工藝溫度為700℃～950℃。
4.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述柵氧化層的厚度為
5.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，在對所述犧牲氧化層執行氟離子注入工藝的過程中，能量為6KeV～20KeV，注入離子的劑量為1E10atoms/cm2～1E15atoms/cm2。
6.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用熱氧化工藝形成所述犧牲氧化層，參與所述熱氧化工藝的氣體為O2，或H2和O2，工藝溫度為700℃～950℃。
7.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，所述犧牲氧化層的厚度為
8.根據權利要求1所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用濕法清洗工藝去除所述犧牲氧化層，清洗時間為5min～15min。
9.根據權利要求8所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，采用濕法清洗工藝去除所述犧牲氧化層的步驟包括：
采用HF溶液去除所述犧牲氧化層；
采用常溫的SC1清洗液清洗所述襯底表面；
采用加熱的SC1清洗液清洗所述襯底表面；以及，
采用常溫的SC2清洗液清洗所述襯底表面。
10.根據權利要求9所述的CMOS器件的制造方法，其特征在于，加熱的所述SC1清洗液的溫度為50℃～80℃。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
