[發明專利]一種β-氧化鎵結構近紅外寬光譜熒光粉及其制備方法

有效

• 申請號: 202111369464.6
• 申請日: 2021-11-15
• 公開（公告）號: CN113956873B
• 公開（公告）日: 2023-02-28
• 發明（設計）人: 鐘繼有
• 申請（專利權）人: 廣東工業大學
• 主分類號: C09K11/62
• 分類號: C09K11/62
• 代理公司: 廣東廣信君達律師事務所 44329
• 代理人: 戴緒霖

1.一種β-Ga₂O₃結構近紅外寬光譜熒光粉，其特征在于，所述熒光粉的化學式表示為：Ga_2-2a-bM¹_aM²_aCr_bO₃，其中M¹元素選自Mg或Zn，M²元素選自Si、Ge、Zr或Hf；0.0001≤a≤0.5；0.0001≤b≤0.1。

2.根據權利要求1所述的β-Ga₂O₃結構近紅外寬光譜熒光粉，其特征在于，所述M¹為Mg。

3.根據權利要求1～2任一所述的β-Ga₂O₃結構近紅外寬光譜熒光粉的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)將M¹化合物、M²化合物、Ga化合物和Cr化合物混合后研磨，混合均勻，得混合物；

(2)將步驟(1)中得到的混合物在空氣中在1300～1450℃下焙燒，待焙燒后的產物冷卻后進行破碎、研磨處理，即得β-Ga₂O₃結構近紅外寬光譜熒光粉。

4.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中M¹化合物為氧化鎂、碳酸鎂、氫氧化鎂、堿式碳酸鎂、草酸鎂、硝酸鎂、氧化鋅、草酸鋅或硝酸鋅；所述M²化合物為二氧化硅、氧化鍺、氧化鋯、硝酸鋯、氧化鉿或硝酸鉿。

5.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中Ga化合物為氧化鎵或硝酸鎵。

6.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中Cr化合物為氧化鉻或硝酸鉻。

7.根據權利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中焙燒時間為4～48h。