[發明專利]發光裝置及包括發光裝置的電子設備

在審

• 申請號: 202111366328.1
• 申請日: 2021-11-18
• 公開（公告）號: CN114566599A
• 公開（公告）日: 2022-05-31
• 發明（設計）人: 申準龍;樸元榮;徐東揆;俞炳旭;李大鎬;李炳奭
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;洪欣

1.發光裝置，包括：

第一電極；

面對所述第一電極的第二電極；以及

在所述第一電極與所述第二電極之間的包括發射層的中間層，其中：

所述中間層進一步包括位于所述第一電極與所述發射層之間的空穴傳輸區；

相對于100wt％的所述第一電極，所述第一電極包含大于0wt％且等于或小于8wt％的量的氧化錫；以及

所述空穴傳輸區包含由式1表示的化合物：

式1

(M)(X)_n

其中，在式1中，

M是過渡金屬，

X是鹵素元素，以及

n是1至4的整數。

2.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述第一電極進一步包含氧化銦、氧化銦鋅、氧化鋅或其任意組合。

3.如權利要求1所述的發光裝置，其中第一電極具有具有5.15eV至5.4eV的絕對值的功函。

4.如權利要求1所述的發光裝置，其中M是鈦、鋯、鉿、釩、鈮、鉭、鉻、鉬、鎢、錳、锝、錸、鐵、釕、鋨、鈷、銠、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、鋅或其任意組合。

5.如權利要求1所述的發光裝置，其中X是F、Cl、Br、I或其任意組合。

6.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述由式1表示的化合物包括p-摻雜劑。

7.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸區具有具有2.0eV至2.5eV的絕對值的最低未占據分子軌道能級。

8.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述第一電極具有具有第一絕對值的功函，并且所述空穴傳輸區的最低未占據分子軌道能級具有小于所述第一絕對值的第二絕對值。

9.如權利要求1所述的發光裝置，其中所述空穴傳輸區包括空穴注入層，

所述空穴注入層直接接觸所述第一電極，并且包含所述由式1表示的化合物。

10.電子設備，包括權利要求1至9中任一項所述的發光裝置。