[發(fā)明專利]一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho2Zr2O7磁光陶瓷的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111365742.0
• 申請日: 2021-11-05
• 公開（公告）號: CN113880578B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂濱;胡良斌
• 申請（專利權(quán)）人: 寧波大學(xué)
• 主分類號: G02B1/00
• 分類號: G02B1/00;C04B35/51;C04B35/622
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1.一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其具體步驟是：

(1)將五水合硝酸鈥與五水合硝酸鋯按陽離子摩爾比1∶1混合，加入去離子水并使二者溶解制成母鹽溶液，并充分?jǐn)嚢瑁?/p>

(2)將制備的母鹽溶液加入至霧化器中得到霧狀液滴，將霧狀液滴通入立式管式爐中，同時(shí)通入氯化銫溶液；經(jīng)過立式管式爐低溫焙燒得到的中間產(chǎn)物通過袋濾器收集；為了收集低溫焙燒得到的中間產(chǎn)物，在焙燒過程中對袋濾器進(jìn)行抽氣，使之產(chǎn)生向下的氣流；

(3)將步驟(2)制備的中間產(chǎn)物在氧氣氣氛下煅燒獲得Ho₂Zr₂O₇粉體；

(4)Ho₂Zr₂O₇粉體依次經(jīng)過預(yù)壓和冷等靜壓成型，然后再真空中致密化燒結(jié)獲得Ho₂Zr₂O₇陶瓷；接著使用管式爐中在氧氣氣氛下退火，最后對樣品進(jìn)行打磨和拋光。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(1)中，所述母鹽溶液是將純度≥99.99％的五水合硝酸鈥和分析純五水合硝酸鋯充分溶于去離子水中配制而成；母鹽溶液中陽離子濃度為0.24mol/L～0.48mol/L。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(2)中，溶液霧化噴霧速度為0.5mL/min～3mL/min。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(2)中，氯化銫溶液的濃度為0.01mol/L～0.05mol/L。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(2)中，氯化銫溶液的摻入量用計(jì)量泵控制，摻入量控制為總的陽離子物質(zhì)的量的0.1％～0.5％。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(2)中，焙燒的溫度為400℃～900℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(3)中，在濃度為99.99％、流速為100mL/min的氧氣條件下，中間產(chǎn)物的煅燒溫度為1000℃～1400℃，煅燒時(shí)間為1h～6h。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(4)中，冷等靜壓成型時(shí)，壓強(qiáng)為100MPa～400MPa。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(4)中，燒結(jié)溫度1600℃～2000℃，燒結(jié)時(shí)間2h～6h，真空度為10^-4Pa～10^-5Pa。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高光學(xué)質(zhì)量的Ho₂Zr₂O₇磁光陶瓷的制備方法，其特征是：步驟(4)中，在濃度為99.99％、流速為100mL/min的氧氣氣氛下退火時(shí)，溫度在1100℃～1700℃，退火時(shí)間2h～6h。