[發明專利]一種多口存儲設備、讀寫方法、裝置

在審

• 申請號: 202111362170.0
• 申請日: 2021-11-17
• 公開（公告）號: CN116136827A
• 公開（公告）日: 2023-05-19
• 發明（設計）人: 段光生;許俊;夏杰
• 申請（專利權）人: 蘇州盛科通信股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F12/06;G11C7/10
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 潘曉

本發明公開了一種多口存儲設備、讀寫方法、裝置，所述設備，包括：N+1組存儲器組、寫操作控制單元、讀操作控制單元和存儲映射表；每組存儲器組包括：CEILING(M/2)個偽雙口兩讀存儲器；所述M為讀端口的數量；所述N為寫端口的數量；所述CEILING表示向上取整；所述偽雙口兩讀存儲器，用于執行讀操作、寫操作、讀寫操作中的至少一種；所述存儲映射表，用于根據寫操作對應寫入數據的存儲信息，記錄數據和存儲地址之間的存儲映射關系；所述寫操作控制單元，用于對針對偽雙口兩讀存儲器的寫操作進行控制管理；所述讀操作控制單元，用于對針對偽雙口兩讀存儲器的讀操作進行控制管理。

技術領域

本發明涉及芯片設計技術，尤其涉及一種多口存儲設備、讀寫方法、裝置。

背景技術

在ASIC(Application?Specific?Integrated?Circuit，專用集成電路)設計中，常用到存儲器，如SRAM(Static?Random?Access?Memory，靜態隨機存儲器)，eDRAM(EnhancedDynamic?Random?Access?Memory，增強動態隨機存取存儲器)等，而對于有些領域的專用芯片，如網絡交換領域，存儲器的總面積要達到甚至超過芯片總面積的一半，可見存儲器的設計優劣對于芯片的總面積有著舉足輕重的影響。根據訪問端口的不同，存儲器可分為單口存儲器，偽雙口/雙口存儲器以及多口存儲器。對于多口存儲器，當其容量很小時，可直接由寄存器單元實現，但當容量很大時，仍采用寄存器實現會導致一系列問題，比如面積和功耗很大，邏輯單元數量特別多以及有嚴重的繞線擁塞等，最后導致實現結果難以達到預期指標或根本無法實現。對于大容量多口存儲器，另一種實現方式是通過偽雙口靜態存儲器實現，采用偽雙口存儲器實現可以有效減小面積，功耗，大幅減小邏輯單元數量以及繞線擁塞度，從而使得多口存儲器的設計最后達到預期的指標要求。

現有技術提供的方案中，使用的偽雙口存儲器單元太多，導致實現出來多口存儲器面積大，功耗高。

發明內容

為解決現有存在的技術問題，本發明實施例提供一種多口存儲設備、讀寫方法、裝置。

本發明的技術方案是這樣實現的：

本發明實施例提供了一種多口存儲設備，所述設備，包括：N+1組存儲器組、寫操作控制單元、讀操作控制單元和存儲映射表；每組存儲器組包括：CEILING(M/2)個偽雙口兩讀存儲器；所述M為讀端口的數量；所述N為寫端口的數量；所述CEILING表示向上取整；

所述偽雙口兩讀存儲器，用于執行讀操作、寫操作、讀寫操作中的至少一種；

所述存儲映射表，用于根據寫操作對應寫入數據的存儲信息，記錄數據和存儲地址之間的存儲映射關系；

所述寫操作控制單元，用于對針對偽雙口兩讀存儲器的寫操作進行控制管理；

所述讀操作控制單元，用于對針對偽雙口兩讀存儲器的讀操作進行控制管理。

上述方案中，所述偽雙口兩讀存儲器具有第一端口和第二端口；所述第一端口為讀端口；所述第二端口為讀端口或寫端口。

上述方案中，所述存儲映射表的容量為W*(CEILING(LOG₂(CEILING(M/2)*(N+1)-1)))比特；

其中，所述W為單個偽雙口兩讀存儲器的深度。

本發明實施例提供了一種多口存儲設備的讀寫方法，應用于以上任一項所述的多口存儲設備；所述方法包括：

接收目標操作；所述目標操作包括以下至少之一：寫操作、讀操作、讀寫操作；

根據所述存儲映射表確定執行所述目標操作的偽雙口兩讀存儲器；

通過確定的偽雙口兩讀存儲器執行目標操作。