[發明專利]一種三維外延注入六邊形電極硅探測器

在審

• 申請號: 202111361836.0
• 申請日: 2021-11-17
• 公開（公告）號: CN114005893A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發明（設計）人: 蔡新毅;李正;譚澤文;李鑫卿;王洪斐;劉曼文
• 申請（專利權）人: 魯東大學
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/115
• 代理公司: 池州優佐知識產權代理事務所(普通合伙) 34198
• 代理人: 劉爾才

1.一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，包括由多個硅探測器單元組成的硅探測器陣列，其特征在于，所述硅探測器單元包括N型輕摻雜硅基體(5)、陰極鋁電極接觸層、陰極鋁電極接觸層、上表面SiO₂(2)、N型重摻雜陽極和P型重摻雜陰極(4)，所述先由外延工藝生長出N型輕摻雜硅基體(5)，再通過離子注入進行P型重摻雜陰極(4)進行摻雜，并重復30次，所述P型重摻雜陰極(4)外側覆蓋有陰極鋁電極接觸層，所述N型輕摻雜硅基體(5)的頂部嵌設有N型重摻雜陽極，所述N型輕摻雜硅基體(5)的上方覆蓋有上表面SiO₂(2)，所述N型重摻雜陽極外側覆蓋陽極鋁電極接觸層。

2.根據權利要求1所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述陰極鋁電極接觸層包括上表面陰極鋁電極接觸層(3)和下表面陰極鋁電極接觸層(9)。

3.根據權利要求1所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述硅探測器陣列中N型重摻雜陽極包括上表面N型重摻雜陽極(6)和下表面N型重摻雜陽極(11)。

4.根據權利要求1所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述硅探測器陣列中陽極鋁電極接觸層包括上表面陽極鋁電極接觸層(1)和下表面陽極鋁電極接觸層(8)。

5.根據權利要求4所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述下表面陽極鋁電極接觸層(8)的外部覆蓋有下表面SiO₂陽極保護環(7)。

6.根據權利要求3所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述下表面N型重摻雜陽極(11)的外部覆蓋有下表面N型輕摻雜陽極保護環(10)。

7.根據權利要求1所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述N型輕摻雜硅基體(5)的底部覆蓋有下表面P型重摻雜陰極(12)。

8.根據權利要求1所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述P型重摻雜陰極(4)的摻雜濃度為1×10¹⁸/cm³，所述N型輕摻雜硅基體(5)的摻雜濃度為1×10¹²/cm³。

9.根據權利要求1所述的一種三維外延注入六邊形電極硅探測器，其特征在于，所述N型重摻雜陽極摻雜濃度為1×10¹⁸/cm³。