[發(fā)明專利]一種高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面結(jié)構(gòu)及單元結(jié)構(gòu)

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• 申請日: 2021-11-17
• 公開（公告）號: CN114171925A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李毅
• 申請（專利權(quán)）人: 西安旭彤電子科技股份有限公司
• 主分類號: H01Q15/00
• 分類號: H01Q15/00
• 代理公司: 西安億諾專利代理有限公司 61220
• 代理人: 李永剛

1.一種高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括自上而下依次設(shè)置的金屬層(1)和介質(zhì)基板(2)；所述金屬層(1)上設(shè)置有方環(huán)形貼片(11)和菱環(huán)組合形貼片(12)；所述菱環(huán)組合形貼片(12)的中心與所述金屬層(1)的中心重合；所述菱環(huán)組合形貼片(12)由菱環(huán)形貼片(121)通過圍繞結(jié)構(gòu)中心依次旋轉(zhuǎn)45°組合設(shè)置而成；所述方環(huán)形貼片(11)環(huán)繞于菱環(huán)組合形貼片(21)四周設(shè)置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述方環(huán)形貼片(11)和菱環(huán)組合形貼片(12)既是軸對稱結(jié)構(gòu)也是中心對稱結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述菱環(huán)組合形貼片(12)包括八個菱環(huán)形貼片(121)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述介質(zhì)基板(2)為方形結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬層(1)與介質(zhì)基板(2)中心重合。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述介質(zhì)基板(2)由耐燃材料制成；所述金屬層(1)由金屬制成；所述金屬包括銅或鋁或金。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬層(1)的外圍尺寸為7.9mm*7.9mm；所述介質(zhì)基板(2)的尺寸為8mm*8mm。

8.一種高諧振比率的雙阻帶頻率選擇表面結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括M×N個周期性排布的如權(quán)利要求1至7中任一項所述的頻率選擇表面單元結(jié)構(gòu)，其中，M和N為大于等于1的整數(shù)。