[發(fā)明專利]太陽能電池單元及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111360430.0
• 申請日: 2021-11-17
• 公開（公告）號: CN114005892A
• 公開（公告）日: 2022-02-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張俊兵;尹海鵬;唐文帥
• 申請（專利權(quán)）人: 晶澳（揚(yáng)州）太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/0224
• 分類號: H01L31/0224;H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/18
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 劉蔚然

1.一種太陽能電池單元，包括：

硅基體(1)；

鈍化介質(zhì)層(2)，其設(shè)置在所述硅基體(1)上；

第一硅層(3)、第二硅層(4)和第三硅層(5)，其依次設(shè)置在所述鈍化介質(zhì)層(2)的背向所述硅基體(1)的表面上并彼此接觸；以及

金屬接觸電極(6)，其穿過所述第三硅層(5)和所述第二硅層(4)而與所述第一硅層(3)直接接觸。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池單元，其中，

所述第一硅層(3)為摻雜的多晶硅層，

所述第二硅層(4)為未摻雜的微晶硅層、非晶硅層、多態(tài)硅層中的一種或者多種的單層或疊層，

所述第三硅層(5)為摻雜的微晶硅層、非晶硅層、多態(tài)硅層中的一種或者多種的單層或疊層，并且

所述第一硅層(3)和所述第三硅層(5)具有相同的摻雜類型，所述摻雜類型為n型或p型。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池單元，其中，

所述金屬接觸電極(6)還與所述第三硅層(5)的背向所述第二硅層(4)的表面直接接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的太陽能電池單元，其中，

所述第一硅層(3)的摻雜濃度在1*10²⁰至1*10²¹原子數(shù)/cm³的范圍內(nèi)，并且

所述第三硅層(5)的摻雜濃度在5*10¹⁸至5*10²⁰原子數(shù)/cm³的范圍內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池單元，其中，

所述第一硅層(3)是被晶化的多晶硅層。

6.一種太陽能電池單元的制造方法，包括：

提供硅基體(1)；

在所述硅基體(1)的一表面上形成鈍化介質(zhì)層(2)；

在所述鈍化介質(zhì)層(2)層的背向所述硅基體(1)的表面上依次形成第一硅層(3)、第二硅層(4)和第三硅層(5)，其中，所述第一硅層(3)、所述第二硅層(4)和所述第三硅層(5)彼此接觸；以及

形成金屬接觸電極(6)，所述金屬接觸電極(6)穿過所述第三硅層(5)和所述第二硅層(4)而與所述第一硅層(3)直接接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中，

所述第一硅層(3)為摻雜的多晶硅層，

形成所述第一硅層(3)包括：

形成第一前置層，所述第一前置層包括具有摻雜原子的微晶硅層、非晶硅層和多晶硅的一種或多種的單層或疊層；以及

進(jìn)行高溫退火熱處理以激活所述摻雜原子并且使所述第一前置層晶化以使其轉(zhuǎn)變成第一硅層(3)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中，

所述第一前置層還包括未摻雜的微晶硅層、非晶硅層和多晶硅的一種或多種的單層或疊層。

9.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的制造方法，其中，

形成所述金屬接觸電極(6)包括：

圖案化所述第二硅層(4)和所述第三硅層(5)，以移除所述第二硅層(4)和所述第三硅層(5)的一部分；以及

在所述第二硅層(4)和所述第三硅層(5)被移除的區(qū)域處形成所述金屬接觸電極(6)，使得所述金屬接觸電極(6)穿過所述第三硅層(5)和所述第二硅層(4)而與所述第一硅層(3)直接接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求6-8中任一項(xiàng)所述的制造方法，其中，

所述第二硅層(4)為未摻雜的微晶硅層、非晶硅層、多態(tài)硅層中的一種或者多種的單層或疊層，

所述第三硅層(5)位摻雜的微晶硅層、非晶硅層、多態(tài)硅層中的一種或者多種的單層或疊層，并且

所述第一硅層(3)和所述第三硅層(5)具有相同的摻雜類型，所述摻雜類型為n型或p型。