[發明專利]一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池在審
| 申請號: | 202111359268.0 | 申請日: | 2021-11-17 |
| 公開(公告)號: | CN114005900A | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 張曉丹;李興亮;李仁杰;任寧宇;陳兵兵;許盛之;侯國付;趙穎 | 申請(專利權)人: | 南開大學 |
| 主分類號: | H01L31/05 | 分類號: | H01L31/05;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/043 |
| 代理公司: | 天津耀達律師事務所 12223 | 代理人: | 侯力 |
| 地址: | 300071*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高效 iii 兩端 太陽電池 | ||
1.一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,采用前表面絨面的晶硅電池為底電池,通過透明導電粘合劑與平面III-V頂電池構成兩端的疊層結構;在此兩端疊層電池中,通過改變透明導電粘合劑中的導電顆粒的比例,調整鍵合層的光電性能,從而實現頂、底電池的電流匹配與橋接。
2.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,所述的III-V頂電池為單結的GaInP、AlGaAs、GaAs結構,或者為兩結的GaInP/GaAs、GaInP/AlGaAs、GaInP/GaInAsP結構,或者為三結的AlGaInP/AlGaAs/GaAs、AlGaInP/GaInP/AlGaInAs結構,或者為四結AlGaInP/GaInP/AlGaInAs/GaInAs、AlGaInP/GaInP/AlGaAs/GaAs結構。
3.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,所述的III-V頂電池采用液相外延技術(LPE)制備,或者采用金屬有機氣相沉積技術(MOCVD)制備,或者采用分子束外延技術(MBE)制備。
4.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,透明導電粘合劑的導電顆粒為金屬涂覆的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微球。
5.根據權利要求4所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,透明導電粘合劑的導電顆粒表面的涂覆金屬為金、銀、銅、鉑或鈀中的一種。
6.根據權利要求4所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,透明導電粘合劑的導電顆粒尺寸為1-50μm。
7.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,透明導電粘合劑中的聚合物為環氧樹脂。
8.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,所述的晶硅電池是雙絨的或者是前表面絨面的晶硅電池。
9.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,所述的晶硅電池的金字塔尺寸為1-50μm。
10.根據權利要求1所述的一種高效的III-V族/硅兩端疊層太陽電池,其特征在于,所述的晶硅電池是前表面絨面的HJT電池、TOP-Con電池、POLO電池、DASH電池、PERC、PERL或PERT電池。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于南開大學,未經南開大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111359268.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:基于緩存策略的區塊鏈性能優化機制
- 下一篇:一種人工智能心電圖機
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





