[發明專利]芯片ROMKEY的版圖結構和芯片

在審

• 申請號: 202111357982.6
• 申請日: 2021-11-16
• 公開（公告）號: CN114334951A
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 趙奇;李德建;王于波;高雪蓮;武超;馮曦;甘杰
• 申請（專利權）人: 北京智芯微電子科技有限公司;國網信息通信產業集團有限公司;國網江蘇省電力有限公司;國家電網有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02;H01L23/00;G06F21/72;G06F30/394
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 花麗

1.一種芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，包括：

M個第一邏輯版圖區，所述第一邏輯版圖區用于實現第一邏輯功能；

N個第二邏輯版圖區，所述第二邏輯版圖區用于實現第二邏輯功能；

兩個邊緣版圖區，所述邊緣版圖區用于在芯片布線時，實現與芯片內其他結構的對接；

其中，M、N均為正整數，M個所述第一邏輯版圖區和N個所述第二邏輯版圖區按照預設順序排列，并位于兩個所述邊緣版圖區之間，用以實現M+N位ROM密鑰。

2.如權利要求1所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，所述第一邏輯版圖區包括：第一NWELL區域、第一PPLUS區域、第一NPLUS區域、第一有源區、第二有源區、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層、第一連接孔、第二連接孔、第三連接孔和第四連接孔，其中，

所述第一有源區、所述第一金屬層、所述第一連接孔和所述第二連接孔均位于所述第一PPLUS區域，所述第二有源區、所述第三連接孔、所述第四連接孔和所述第三金屬層均位于所述第一NPLUS區域，所述第一金屬層通過所述第一連接孔與所述第一有源區連接，所述第二金屬層通過所述第二連接孔與所述第一有源區連接，所述第二金屬層還通過所述第三連接孔和所述第四連接孔與所述第二有源區連接，所述第一金屬層用以連接芯片電源，所述第三金屬層用以連接芯片的地。

3.如權利要求2所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，所述第一邏輯版圖區還包括：

第一電阻標識層，所述第一電阻標識層位于所述第一連接孔和所述第二連接孔之間，且覆蓋在所述第一有源區上方。

4.如權利要求2所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，所述第二邏輯版圖區包括：第二NWELL區域、第二PPLUS區域、第二NPLUS區域、第三有源區、第四有源區、第四金屬層、第五金屬層、第六金屬層、第五連接孔、第六連接孔、第七連接孔和第八連接孔，其中，

所述第三有源區、所述第四金屬層、所述第五連接孔和所述第六連接孔均位于所述第二PPLUS區域，所述第四有源區、所述第七連接孔、所述第八連接孔和所述第六金屬層均位于所述第二NPLUS區域，所述第五金屬層通過所述第五連接孔和所述第六連接孔與所述第三有源區連接，所述第五金屬層還通過所述第七連接孔與所述第四有源區連接，所述第六金屬層通過所述第八連接孔與所述第四有源區連接，所述第四金屬層用以連接芯片電源，所述第六金屬層用以連接芯片的地。

5.如權利要求4所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，所述第二邏輯版圖區還包括：

第二電阻標識層，所述第二電阻標識層位于所述第七連接孔和所述第八連接孔之間，且覆蓋在所述第四有源區上方。

6.如權利要求4所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，所述邊緣版圖區包括：第三NWELL區域、第三PPLUS區域、第三NPLUS區域、第七金屬層和第八金屬層，其中，所述第七金屬層位于所述第三PPLUS區域，用以連接芯片電源，所述第八金屬層位于所述第三NPLUS區域，用以連接芯片的地。

7.如權利要求5所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，所述第一有源區沿第一方向延伸，所述第二有源區沿第二方向延伸，所述第一有源區和所述第二有源區均相對所述第一邏輯版圖區的中軸線對稱，其中，所述第一方向與所述第二方向垂直。

8.如權利要求7所述的芯片ROMKEY的版圖結構，其特征在于，

所述第一金屬層呈T字形，并相對所述第一邏輯版圖區的中軸線對稱，且與所述第一邏輯版圖區的兩側相交，兩交點用于連接其他邏輯版圖區或邊緣版圖區的用以連接芯片電源的金屬層，所述第一金屬層沿所述第一方向的一端通過所述第一連接孔與所述第一有源區靠近所述第一金屬層的一端連接；

所述第二金屬層沿所述第一方向延伸，所述第二金屬層的一端通過所述第二連接孔與所述第一有源區遠離所述第一金屬層的一端連接；

所述第三金屬層沿所述第二方向延伸，并與所述第一邏輯版圖區的兩側相交，兩交點用于連接其他邏輯版圖區或邊緣版圖區的用以連接芯片的地的金屬層。