[發(fā)明專利]一種鉭二氧化硅濺射靶材及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111356596.5
• 申請(qǐng)日: 2021-11-16
• 公開（公告）號(hào): CN114075651A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學(xué)澤;黃東長(zhǎng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C22C1/05;C22C27/02;C22C32/00;C23C14/14
• 代理公司: 北京遠(yuǎn)智匯知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種鉭二氧化硅濺射靶材的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

(1)將鉭粉和二氧化硅粉混合均勻，得到混合粉末；

(2)將步驟(1)所述混合粉末裝入模具并封口，進(jìn)行冷等靜壓，得到鉭二氧化硅坯料；

(3)將步驟(2)所述鉭二氧化硅坯料裝入包套并封口，進(jìn)行脫氣處理；

(4)將步驟(3)脫氣后的包套進(jìn)行熱等靜壓，得到鉭二氧化硅濺射靶材粗品；

(5)將步驟(4)所述鉭二氧化硅濺射靶材粗品進(jìn)行機(jī)加工，得到鉭二氧化硅濺射靶材。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述混合粉末中二氧化硅含量為10-50wt％，其余為鉭以及不可避免的雜質(zhì)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述鉭粉的平均粒徑＜10μm；

優(yōu)選地，步驟(1)所述鉭粉的純度為99.95-99.99wt％；

優(yōu)選地，步驟(1)所述二氧化硅粉的平均粒徑＜10μm；

優(yōu)選地，步驟(1)所述二氧化硅粉的純度為99.95-99.99wt％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(1)所述混合在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行；

優(yōu)選地，所述惰性氣體包括氦氣、氮?dú)饣驓鍤庵械娜我庖环N或至少兩種的組合，優(yōu)選為氬氣；

優(yōu)選地，所述惰性氣體的壓力為0.02-0.06MPa；

優(yōu)選地，步驟(1)所述混合的時(shí)間為20-30h；

優(yōu)選地，步驟(1)所述混合在混粉機(jī)中進(jìn)行；

優(yōu)選地，所述混粉機(jī)為V型混粉機(jī)；

優(yōu)選地，所述混粉機(jī)的混合速率為5-10r/min。

5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述模具為橡膠套；

優(yōu)選地，步驟(2)所述裝入模具后，用工具夯實(shí)刮平，然后蓋上模具蓋再封口。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(2)所述冷等靜壓采用分級(jí)加壓處理；

優(yōu)選地，步驟(2)所述冷等靜壓采用三級(jí)加壓處理，包括依次進(jìn)行的一級(jí)加壓、二級(jí)加壓與三級(jí)加壓；

優(yōu)選地，所述一級(jí)加壓的壓力為80-90MPa，保壓時(shí)間為5-8min；

優(yōu)選地，所述二級(jí)加壓的壓力為150-170MPa，保壓時(shí)間為8-15min；

優(yōu)選地，所述三級(jí)加壓的壓力為180-220MPa，保壓時(shí)間為12-18min。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(3)所述包套為不銹鋼包套；

優(yōu)選地，步驟(3)所述脫氣處理的溫度為300-500℃；

優(yōu)選地，步驟(3)所述脫氣處理的保溫時(shí)間為4-8h；

優(yōu)選地，步驟(3)所述脫氣處理的真空度在5.0E-3Pa以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，步驟(4)所述熱等靜壓的溫度為1100-1250℃；

優(yōu)選地，步驟(4)所述熱等靜壓的壓力為90-170MPa；

優(yōu)選地，步驟(4)所述熱等靜壓的保溫保壓時(shí)間為3-6h；

優(yōu)選地，步驟(5)所述機(jī)加工包括磨加工和/或線切割。