[發明專利]一種頻率綜合器的自適應頻率校準方法及裝置

在審

• 申請號: 202111356102.3
• 申請日: 2021-11-16
• 公開（公告）號: CN114124082A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 陳旺;陳國安;顏承偉;徐文星;李興祥;梁虔榮;李亦輝
• 申請（專利權）人: 珠海泰芯半導體有限公司
• 主分類號: H03L1/02
• 分類號: H03L1/02
• 代理公司: 廣東朗乾律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍;朱鵬

1.一種頻率綜合器的自適應頻率校準方法，其特征在于，包括以下步驟：

采集頻率綜合器所處的環境溫度；

計算當前采集到的溫度值和前一次采集到的溫度值之間的差值，將該差值定義為溫度變化量；

將溫度變化量和設定閾值進行比較，如果溫度變化量為正值且大于設定閾值時，則令電容陣列的控制字為M-1，如果溫度變化量為負值且其絕對值大于設定閾值時，則令電容陣列的控制字為M+1，M為常溫下頻率綜合器中壓控振蕩器的電容陣列的控制字。

2.如權利要求1所述的頻率綜合器的自適應頻率校準方法，其特征在于：設置溫度傳感器，通過溫度傳感器采集頻率綜合器所處的環境溫度。

3.如權利要求1所述的頻率綜合器的自適應頻率校準方法，其特征在于：設置微處理器，通過微處理器根據溫度變化量來調節電容陣列的控制字。

4.如權利要求1所述的頻率綜合器的自適應頻率校準方法，其特征在于：設置比較器，通過比較器根據溫度來調節電容陣列的控制字，溫度用壓控振蕩器的可變電容的輸入電壓來表征，設定閾值用第一參考電壓和第二參考電壓表征，當可變電容的輸入電壓大于第一參考電壓時，令電容陣列的控制字為M-1，當可變電容的輸入電壓小于第二參考電壓時，令電容陣列的控制字為M+1。

5.頻率綜合器的自適應頻率校準裝置，其特征在于，包括：

溫度采集單元，用于采集頻率綜合器所處的環境溫度，并將采集到的溫度發送給下述電容陣列調節單元；

電容陣列調節單元，用于計算溫度變化量，并根據溫度變化量調節電容陣列的控制字；溫度變化量等于當前采集到的溫度值和前一次采集到的溫度值之間的差值，當溫度變化量為正值且大于設定閾值時，令電容陣列的控制字為M-1，當溫度變化量為負值且其絕對值大于設定閾值時，令電容陣列的控制字為M+1，M為常溫下頻率綜合器中壓控振蕩器的電容陣列的控制字。

6.如權利要求5所述的頻率綜合器的自適應頻率校準裝置，其特征在于：所述電容陣列調節單元為微處理器。

7.如權利要求5所述的頻率綜合器的自適應頻率校準裝置，其特征在于：所述電容陣列調節單元為比較控制電路，所述比較控制電路包括第一比較器和第二比較器，所述第一比較器和所述第二比較器的輸入分別是頻率綜合器中壓控振蕩器的可變電容的輸入電壓和表征設定閾值的第一參考電壓和第二參考電壓，根據兩個比較器的輸出調節電容陣列的控制字。