[發明專利]一種改進的碳化硅蜂窩陶瓷單元體快速燒成方法

有效

• 申請號: 202111355111.0
• 申請日: 2021-11-16
• 公開（公告）號: CN113880584B
• 公開（公告）日: 2022-12-16
• 發明（設計）人: 梁瑞;蔡凱;沈琴娟
• 申請（專利權）人: 宜興王子制陶有限公司
• 主分類號: C04B35/565
• 分類號: C04B35/565;C04B35/64;C04B38/00
• 代理公司: 無錫知初知識產權代理事務所(普通合伙) 32418
• 代理人: 張超

1.一種改進的碳化硅蜂窩陶瓷單元體快速燒成方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)將碳化硅蜂窩陶瓷單元體裝入擋板拼接結構并放入燒制爐；

2)在燒制爐中營造燒制環境；

3)以6.0℃/min的升溫速率從室溫升溫至800℃；

4)以2.0℃/min的升溫速率從室溫升溫至1100℃，保溫2h；

5)以0.8℃/min的升溫速率升溫至1400℃，保溫1h，添加的氧化鋁成分與碳化硅表面的氧化硅反應；

6)以0.2℃/min的升溫速率升溫至1460℃，保溫2h，金屬硅開始融化大量吸熱，放緩升溫速率使得爐內溫度均勻且緩慢升高，保溫使得熔融態的金屬硅填充到碳化硅堆積的毛細孔中達到黏連碳化硅顆粒的作用；

7)停止加熱，隨爐冷卻至室溫；

所述步驟2)中，打開燒制爐自帶的制冷機，制冷機溫度設定為20℃，打開燒制爐的空壓機和電磁真空計，接著打開燒制爐的真空泵和真空閥，待電磁真空計示數達到60Pa時，依次關閉真空閥和真空泵；

所述步驟2)中，待電磁真空計示數達到60Pa后，打開充氣控制柜，氬氣流量設置100L/min，甲烷的流量設置為900mL/min，同時打開氬氣和甲烷的通向爐體的氣閥，向爐體中充氣，待爐體大壓力達到0.035MPa時，關閉氬氣和甲烷的進氣閥；

所述步驟3)中，升溫前，將制冷機溫度設置30℃，再進行點火燒制。

2.根據權利要求1所述的改進的碳化硅蜂窩陶瓷單元體快速燒成方法，其特征在于：所述步驟1)中，擋板拼接結構為將若干碳化硅蜂窩陶瓷單元體均勻分布后逐層疊加所使用的擋板拼接結構，擋板拼接結構包括用于將上下兩層碳化硅蜂窩陶瓷單元體的隔離板，以及將同一層相鄰隔離板上的碳化硅蜂窩陶瓷單元體區隔開的圍擋部。