[發明專利]一種硅基液晶基板液晶封裝結構及方法

在審

• 申請號: 202111353998.X
• 申請日: 2021-11-12
• 公開（公告）號: CN114077107A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 夏高飛;張寧峰;宇磊磊;王華;高宇
• 申請（專利權）人: 西安中科微星光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1339
• 分類號: G02F1/1339
• 代理公司: 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316
• 代理人: 魏毅宏

1.一種硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，包括硅基CMOS基板、玻璃蓋板，在所述硅基CMOS基板上涂布封閉的環形封框膠，在所述環形封框膠與像素區之間的區域制備環形擋墻，所述環形擋墻的高度低于所述環形封框膠的厚度，所述環形擋墻的寬度小于所述環形封框膠與像素區之間的間隔距離，采用ODF工藝滴下液晶后，所述硅基CMOS基板和玻璃蓋板貼合時，所述環形擋墻用于阻斷液晶快速擴散造成與未固化的所述環形封框膠提前接觸，避免沖擊問題。

2.根據權利要求1所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻為封閉式環形擋墻，所述環形擋墻的高度低于封裝設計盒厚和實際盒厚，所述環形擋墻的高度H_擋墻＝設計盒厚-δ_d，其中，當所述環形擋墻的材質為光刻膠時，δ_d為0.45～0.5μm。

3.根據權利要求1所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻為斷點結構式環形擋墻，斷點的分布和斷點處的寬度可設計，所述環形擋墻的高度低于封裝設計盒厚和實際盒厚，所述擋墻的高度H_擋墻＝設計盒厚-δ_d，其中，當所述環形擋墻的材質為光刻膠時，δ_d為0.45～0.5μm。

4.根據權利要求1所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻為點畫線結構式環形擋墻，所述環形擋墻的高度低于封裝設計盒厚和實際盒厚，所述擋墻的高度H_擋墻＝設計盒厚-δ_d，其中，當所述環形擋墻的材質為光刻膠時，δ_d為0.35～0.4μm。

5.根據權利要求4所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，點畫線結構式環形擋墻中，點為圓柱形，圓柱形底面直徑為所述環形擋墻的寬度；或者，點為底面為正方形的長方體，正方形的邊長為所述環形擋墻的寬度。

6.根據權利要求1所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻為圓柱環形陣列式擋墻，或底面為正方形的長方體環形陣列式擋墻；所述環形擋墻的高度低于封裝設計盒厚和實際盒厚，所述擋墻的高度H_擋墻＝設計盒厚-δ_d，其中，當所述環形擋墻的材質為光刻膠時，δ_d為0.15～0.25μm。

7.根據權利要求6所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻為圓柱環形陣列式擋墻，單元圓柱的底面直徑為所述環形擋墻的寬度，兩個單元圓柱之間的距離、單元圓柱的底面直徑根據像素尺寸確定。

8.根據權利要求6所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻為底面為正方形的長方體環形陣列式擋墻，單元長方體的正方形底面邊長為所述環形擋墻的寬度，兩個單元長方體之間的距離、單元長方體的正方形底面邊長根據像素尺寸確定。

9.根據權利要求1所述的硅基液晶基板液晶封裝結構，其特征在于，所述環形擋墻的材質為光刻膠，或無機物材料；其中，所述無機物材料選自氮化硅或氧化硅。

10.一種權利要求1-9任意一項所述的硅基液晶基板液晶封裝結構的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：根據所述環形封框膠的設計尺寸、涂布位置精度和線寬精度、所述環形封框膠與像素區之間的間隔距離，設計所述環形擋墻的結構及尺寸；

S2：選擇所述環形擋墻的材質，根據材質選擇確定制備工藝后，在所述硅基CMOS基板上制備所述環形擋墻；

S3：之后進入液晶封裝工藝制程，包括配向膜涂布、環形封框膠涂布、ODF滴入液晶、所述硅基CMOS基板和玻璃蓋板貼合，之后抽真空、固化處理，完成封裝。