[發明專利]一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷及制備方法

有效

• 申請號: 202111352511.6
• 申請日: 2021-11-16
• 公開（公告）號: CN114093668B
• 公開（公告）日: 2023-06-16
• 發明（設計）人: 吉岸;王曉慧;金鎮龍
• 申請（專利權）人: 無錫鑫圣慧龍納米陶瓷技術有限公司
• 主分類號: H01G4/12
• 分類號: H01G4/12;H01G4/30;C04B35/64
• 代理公司: 無錫億聯盛知識產權代理有限公司 32625
• 代理人: 李晶晶

1.一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷，其特征是陶瓷配方體系為Ba-Ti-Cu-Zn-Si-O，主體晶相表達式為：a*BaTi₄O₉-b*BaZnSiO₄，其中55%≤a≤85%，15%≤b≤45%，主體晶相和降溫燒結助劑的配方質量表達式為：【a*BaTi₄O₉-b*BaZnSiO₄】-x降溫燒結助劑，x是降溫燒結助劑相對于主體晶相粉料主要基材的質量百分數，主體晶相粉料主要基材是將原材料按主體晶相表達式配料并預燒得到的。

2.如權利要求1所述的一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷，其特征是所述的a和b分別為65%≤a≤75%，25%≤b≤35%。

3.如權利要求1或2所述的一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷的制備方法，其特征是包括以下工藝步驟：

1）將原材料BaCO₃、TiO₂、ZnO、SiO₂按照主體晶相表達式配料，混合后充分球磨，球磨后烘干、過篩放入剛玉坩堝中，然后保溫預燒，得到粉料主要基材；

2）將步驟1）獲得的粉料主要基材以及降溫燒結助劑按照預定配比進行充分球磨，球磨后烘干、造粒、過篩；

3）將步驟2）過篩后的顆粒壓制成圓柱體，然后燒結成瓷，燒結溫度800~1000℃，即得中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷。

4.如權利要求3所述的一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷的制備方法，其特征是所述的步驟3）中，燒結溫度850~900℃。

5.如權利要求4所述的一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷的制備方法，其特征是所述的步驟1）中的保溫預燒，溫度800~1000℃、時間2~4h。

6.如權利要求4或5所述的一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷的制備方法，其特征是所述的步驟2）中的降溫燒結助劑為CuZn氧化化合物。

7.如權利要求6所述的一種中介電常數低溫共燒多層陶瓷電容器用介質陶瓷的制備方法，其特征是所述的CuZn氧化化合物的使用量相對粉料主要基材的質量5~10wt%。