[發(fā)明專利]微晶玻璃及其制備方法、玻璃保護(hù)層、玻璃蓋板與電子器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111346087.4
• 申請日: 2021-11-15
• 公開（公告）號: CN113831021B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 湯重;康慶偉;林文城;平文亮;肖子凡;王琰;劉紅剛
• 申請（專利權(quán)）人: 清遠(yuǎn)南玻節(jié)能新材料有限公司;中國南玻集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號: C03C10/10
• 分類號: C03C10/10;C03C21/00;C03B32/02;H04M1/02;H04M1/18
• 代理公司: 華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 吳燕琳

1.一種微晶玻璃的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

以質(zhì)量百分?jǐn)?shù)計(jì)，所述微晶玻璃的原料包括55%~65%的SiO₂、19.5%~29%的Al₂O₃、2%~10%的Li₂O、4%~15%的Na₂O、1%~6%的K₂O、0.1%～3%的B₂O₃、0.1%~4%的ZrO₂、0.5%~4%的MgO、0.5%~3%的ZnO與0.5%~3%的P₂O₅，混合所述微晶玻璃的原料，成型后進(jìn)行核化處理與晶化處理，制備玻璃預(yù)制件；

將所述玻璃預(yù)制件進(jìn)行第一次鋼化與第二次鋼化；其中，第一次鋼化與第二次鋼化采用的鋼化鹽分別獨(dú)立地選自鈉鹽和鉀鹽中的至少一種；

核化處理的溫度為560℃~590℃，核化處理的時(shí)間為2h~9h；

晶化處理包括第一次晶化與第二次晶化，第一次晶化的溫度為590℃~640℃，第一次晶化結(jié)束后升溫，進(jìn)行第二次晶化，第二次晶化的溫度為670℃~730℃；

所述微晶玻璃的壓力層深度大于130微米。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，以質(zhì)量百分?jǐn)?shù)計(jì)，所述微晶玻璃的原料包括55%~57%的SiO₂、20%~27%的Al₂O₃、3%~7%的Li₂O、5%~9%的Na₂O、1%~2%的K₂O、1%～2%的B₂O₃、0.5%~1.5%的ZrO₂、0.5%~1.5%的MgO、0.5%~1%的ZnO與1.5%~3%的P₂O₅。

3.根據(jù)權(quán)利要求1~2任一項(xiàng)所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，所述微晶玻璃包括晶體相和玻璃相，所述晶體相中的晶體尺寸為30nm~60nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，第一次晶化的時(shí)間為2h~6h；第二次晶化的時(shí)間為1h~3h。

5.根據(jù)權(quán)利要求1~2及4任一項(xiàng)所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，第一次鋼化的溫度為450℃~540℃，第一次鋼化的時(shí)間為4h~8h。

6.根據(jù)權(quán)利要求1~2及4任一項(xiàng)所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，第二次鋼化的溫度為420℃~440℃，第二次鋼化的時(shí)間為1h~4h。

7.根據(jù)權(quán)利要求1~2及4任一項(xiàng)所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，第一次鋼化采用的鋼化鹽為NaNO₃和KNO₃的混合物，其中NaNO₃質(zhì)量濃度大于20%。

8.根據(jù)權(quán)利要求1~2及4任一項(xiàng)所述的微晶玻璃的制備方法，其特征在于，第二次鋼化采用的鋼化鹽為NaNO₃和KNO₃的混合物，其中KNO₃質(zhì)量濃度大于80%。

9.一種微晶玻璃，其特征在于，由權(quán)利要求1~8任一項(xiàng)所述的微晶玻璃的制備方法制備得到。

10.一種玻璃保護(hù)層，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的微晶玻璃。

11.一種玻璃蓋板，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的微晶玻璃。

12.一種電子器件，其特征在于，以權(quán)利要求9所述的微晶玻璃作為玻璃蓋板。