[發(fā)明專利]提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111344883.4
• 申請(qǐng)日: 2021-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN114121702A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董俊;張顧斌;王雷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司;上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 劉昌榮

1.一種提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，其包括以下步驟：

步驟一，獲取原始版圖；

步驟二，光刻進(jìn)行精準(zhǔn)對(duì)位需要在原始版圖中放置光刻對(duì)位標(biāo)記；

步驟三，將光刻對(duì)位標(biāo)記通過刻蝕的方法留在晶圓上；

步驟四，將刻有光刻對(duì)位標(biāo)記的晶圓進(jìn)行外延生長，生成外延生長圖形，光刻對(duì)位標(biāo)記會(huì)由于外延過程特有的延晶向生長的特點(diǎn)，會(huì)發(fā)生漂移的圖形以及變形的圖形，通過利用視覺成像鏡頭可調(diào)整焦距的特點(diǎn)以及外延生長圖形的固定生長方向、漂移方向特點(diǎn)，調(diào)整視覺成像的焦距，將成像圖形由清晰的圖形變?yōu)槟：膱D形，過濾掉外延生長后光刻對(duì)位標(biāo)記形成的雜波以及干擾圖形，獲取到光刻對(duì)位標(biāo)記在外延生長前較為棱角分明的對(duì)位標(biāo)記信號(hào)。

2.如權(quán)利要求1所述的提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，所述步驟一中的原始版圖通過版圖設(shè)計(jì)軟件獲得。

3.如權(quán)利要求1所述的提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，所述光刻對(duì)位標(biāo)記至少包括粗準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記和精準(zhǔn)對(duì)位標(biāo)記各一組。

4.如權(quán)利要求1所述的提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，所述步驟二中采用光刻機(jī)對(duì)位鏡頭放置光刻對(duì)位標(biāo)記。

5.如權(quán)利要求1所述的提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，所述步驟四的晶圓是在外延爐中進(jìn)行外延生長。

6.如權(quán)利要求5所述的提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，所述外延爐采用高頻感應(yīng)加熱方式。

7.如權(quán)利要求1所述的提高外延生長晶圓對(duì)位通過率的方法，其特征在于，所述步驟四的晶圓是采用氣相外延工藝外延生長。