[發明專利]一種應用于蝕刻機靜電吸盤的控制方法及供電電源

在審

• 申請號: 202111344220.2
• 申請日: 2021-11-15
• 公開（公告）號: CN114068385A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 李佳
• 申請（專利權）人: 華科電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 北京冠和權律師事務所 11399
• 代理人: 時嘉鴻

1.一種應用于蝕刻機靜電吸盤的控制方法，其特征在于，包括：

根據晶圓的額定規格數據，進行晶圓電荷檢測演示操作，預估晶圓承載負電荷的閾值；

基于所述閾值，檢測晶圓實際負電荷含量值，通過電荷量分析計算，獲取晶圓負電荷產生的吸附力數據；

根據所述吸附力數據，提取吸附力控制參數，基于所述吸附力控制參對靜電吸盤的正電荷含量值進行調控，獲取調控結果；

根據所述調控結果，將靜電吸盤的正電荷量與晶圓的負電荷量進行等量匹配，控制靜電吸盤操作晶圓進行蝕刻作業。

2.如權利要求1所述的一種應用于蝕刻機靜電吸盤的控制方法，其特征在于，所述根據晶圓的額定規格數據，進行晶圓電荷檢測演示操作，預估晶圓承載負電荷的閾值，包括：

基于晶圓的額定規格數據，獲取晶圓的導電參數數據；

根據所述導電參數數據，對通電電壓和電流進行限制，獲取晶圓變化的電場強度值；

基于所述電場強度值生成靜電力，檢測所述靜電力作用產生的負電荷；

通過計算晶圓負電荷含量值，確定合理范圍晶圓的靜電吸附力值，并獲取晶圓靜電吸附數據；

根據所述晶圓靜電吸附數據進行條件限制，通過所述條件限制預估晶圓的負電荷承載閾值。

3.如權利要求2所述的一種應用于蝕刻機靜電吸盤的控制方法，其特征在于，所述通過對所述靜電吸附力閾值進行條件限制，包括：

根據獲取的晶圓電場強度，對晶圓的靜電力閾值進行預估，獲取預估結果；

根據所述預估結果，對晶圓的靜電力閾值進行條件限制；

基于所述條件限制，檢測晶圓由靜電力產生的負電荷含量值，當所述負電荷含量值超出預設晶圓最大承載值時，對晶圓進行斷電處理，獲取處理結果；

根據所述處理結果，對晶圓靜電力進行調控，將晶圓的負電荷含量值調整在預估閾值范圍內；

基于所述條件限制，當檢測晶圓的負電荷含量值低于預設晶圓最小承載值時，對晶圓進行斷電處理，獲取處理結果；

根據所述處理結果，對晶圓靜電力進行調控，將晶圓的負電荷含量值調整在預估閾值范圍內。

4.如權利要求1所述的一種應用于蝕刻機靜電吸盤的控制方法，其特征在于，基于所述閾值，檢測晶圓實際負電荷含量值，通過電荷量分析計算，獲取晶圓負電荷產生的吸附力數據，包括：

基于獲取的晶圓負電荷閾值，對晶圓進行通電實驗，獲取通電后晶圓的靜電感應參數；

通過所述靜電感應參數，實時檢測晶圓在不同時間段的負電荷含量值，并對所述負電荷含量值進行分析計算，獲取計算結果；

基于所述計算結果，提取電荷數據值，根據所述電荷數據值獲取晶圓負電荷產生靜電庫侖力數據值；

根據所述靜電庫侖力數據值，通過合力方程進行數據計算，獲取晶圓負電荷產生的吸附力數據。

5.如權利要求4所述的一種應用于蝕刻機靜電吸盤的控制方法，其特征在于，所述實時檢測晶圓在不同時間段的負電荷含量值，并對所述負電荷含量值進行分析計算，獲取計算結果，包括：

檢測晶圓通電后不同時間段中負電荷的含量值，獲取時間-負電荷含量對應數據值；

根據固定時間段和對應時間段晶圓吸附的電荷量的數據值，生成電荷量隨時間變化的曲線圖；

通過所述曲線圖對晶圓的負電荷進行時間校驗，獲取電荷變化參數，并對所述電荷變化參數進行存儲，獲取存儲數據；

基于所述存儲數據，進行晶圓負電荷含量值分析計算處理，獲取計算結果；

根據所述結果，獲取晶圓負電荷產生的靜電力數據。