[發明專利]一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置及其檢測方法在審
| 申請號: | 202111343234.2 | 申請日: | 2021-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN114019014A | 公開(公告)日: | 2022-02-08 |
| 發明(設計)人: | 林俊明;曾志偉;林澤森 | 申請(專利權)人: | 愛德森(廈門)電子有限公司 |
| 主分類號: | G01N27/83 | 分類號: | G01N27/83;G01N27/90 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 361008 福建省廈*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 穿過 飽和 渦流 檢測 裝置 及其 方法 | ||
1.一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,包括渦流檢測傳感器(3)、以及沿檢測對象(1)軸向方向設置的磁飽和器(2),其特征在于所述的磁飽和器(2)包括沿檢測對象(1)軸向方向分別對稱固定于渦流檢測傳感器(3)兩側邊的第一磁體(21)和第二磁體(22),所述第一磁體(21)和第二磁體(22)為N、S極性相反;
其中,所述第一磁體(21)和第二磁體(22)在靠近檢測傳感器的側面設置為方波脈沖形狀的凹凸結構,且第一磁體(21)的N極凸出部(211)與第二磁體(22)的S極凸出部(221)設置為相同均勻脈沖交錯排列結構,在電磁檢測中,從第一磁體(21)的 N極凸出部(211)到第二磁體(22)的S極凸出部(221)形成的磁力線(23)包括不平行于被檢測對象(1)軸向方向延伸的部分。
2.根據權利要求1所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的凹凸面結構設置為相同寬度矩形脈沖式交錯,即N極凸出部(211)和S極凸出部(221)、N極凹入部(212)和S極凹入部(222)均為等大小的矩形結構。
3.根據權利要求1所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的渦流檢測傳感器(3)設置為外穿式電磁檢測線圈(31)。
4.根據權利要求3所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的渦流檢測傳感器(3)還包括外穿式的第一激勵線圈(32)和第二激勵線圈(33),其中,所述第一激勵線圈(32)和第二激勵線圈(33)分別對稱的設置于檢測線圈(31)的兩側邊。
5.根據權利要求4所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的設置于檢測線圈(31)兩側邊第一激勵線圈(32)和第二激勵線圈(33)分別設置于第一磁體(21)的N極凸出部(211)與第二磁體(22)的S極凸出部(221)上。
6.根據權利要求1或5所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的渦流檢測裝置的磁飽和器內還包括磁體支架(24),其中,所述磁體支架(24)設置為環柱形套筒結構,與第一磁體(21)、第二磁體(22)的N、S極性相反套設于第一磁體(21)、第二磁體(22)的內層。
7.根據權利要求6所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的檢測線圈(31)設置于磁體支架(24)的正中間,兩側邊的第一激勵線圈(32)和第二激勵線圈(33)分別設置于第一磁體(21)的N極凸出部(211)與第二磁體(22)的S極凸出部(221)上。
8.根據權利要求4所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測裝置,其特征在于所述的第一磁體(21)的N極凸出部(211)與第二磁體(22)的S極凸出部(221)設置為均勻的波紋或者三角形脈沖面結構,所述N極凸出部(211)和S極凸出部(221)分別與相對的兩個不同極性的凸出部的斜面形成兩個對稱方向的磁場磁力線(23),形成更多方向交會的磁力線(26)。
9.一種穿過式磁飽和渦流檢測方法,使用如權利要求1至8中任一權利要求所述的檢測裝置,其特征在于檢測線圈既檢測被檢測對象的渦流電磁信號,同時又檢測被檢測對象的漏磁信號,具體方法步驟如下:
a.安裝檢測裝置,將檢測傳感器裝置套設于被檢測管棒外周,開啟檢測裝置;
b.渦流和漏磁檢測:檢測傳感器進行電磁渦流檢測,在檢測的間隙進行漏磁信號的提取;
c.綜合分析:結合渦流檢測信號和漏磁檢測信號進行計算分析被檢測金屬管棒的各種方向缺陷信息數據。
10.根據權利要求9所述的一種穿過式磁飽和渦流檢測方法,其特征在于所述的檢測傳感器裝置為外穿式檢測線圈和外穿式磁飽和器,選擇性增減不同層相鄰極性相反的磁體作為磁飽和器層,形成三維多方向的磁場磁力線,檢測被檢測金屬管棒不同方向上的缺陷信息。
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