[發明專利]一種基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件及其制備在審
| 申請號: | 202111340780.0 | 申請日: | 2021-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN114242920A | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發明(設計)人: | 許偉;彭俊彪;寧洪龍;姚日暉 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H01L51/54 | 分類號: | H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 陳智英 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 氧化 作為 電子 注入 磷化 量子 電致發光 器件 及其 制備 | ||
1.一種基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件,其特征在于:包括依次層疊的ITO基板、電子注入層、電子傳輸層、磷化銦量子點發光層、空穴傳輸層、空穴注入層及金屬陽極;所述電子注入層為二氧化錫。
2.根據權利要求1所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件,其特征在于:所述二氧化錫為二氧化錫納米粒子,粒徑為3~5nm;
所述電子傳輸層為氧化鋅、氧化鋅鎂、氧化鈦中的一種以上,電子傳輸層的厚度為40-70nm;
所述磷化銦量子點發光層的材料包括核殼結構的InP/ZnS量子點、InP/ZnSe/ZnS量子點;所述量子點為紅光量子點、綠光量子點、藍光量子點;
所述磷化銦量子點發光層的厚度為20-35nm。
3.根據權利要求2所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件,其特征在于:所述電子傳輸層為氧化鋅鎂。
4.根據權利要求1所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件,其特征在于:所述空穴傳輸層為4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺、聚(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共(4,4'-(N-(4-仲-丁基苯基)二苯胺))、聚(N,N'-雙(4-丁基苯基)-N,N'-雙(苯基)聯苯胺)中一種以上;
所述空穴傳輸層的厚度為30-60nm;
所述空穴注入層的材料為聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚對苯乙炔、或氧化鉬中一種以上;
所述空穴注入層的厚度為6-12nm。
5.根據權利要求4所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件,其特征在于:所述空穴傳輸層為4,4',4”-三(咔唑-9-基)三苯胺;所述空穴注入層為氧化鉬。
6.根據權利要求1所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件,其特征在于:所述金屬陽極層包括金屬鋁、金、銀中一種以上。
7.根據權利要求1~6任一項所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件的制備方法,其特征在于:包括以下步驟:
1)將ITO基板進行氧氣等離子處理,然后在ITO基板上通過溶液加工工藝依次制備二氧化錫電子注入層、電子傳輸層、磷化銦量子點發光層;
2)在發光層上通過溶液加工工藝或真空蒸鍍工藝依次制備空穴傳輸層、空穴注入層;
3)在空穴注入層上制備金屬陽極。
8.根據權利要求7所述基于氧化錫作為電子注入層的磷化銦量子點電致發光器件的制備方法,其特征在于:通過溶液加工工藝依次制備二氧化錫電子注入層,電子傳輸層時,采用的溶劑為乙醇、異丙醇中一種以上;
通過溶液加工工藝制備磷化銦量子點發光層時,溶劑為正辛烷、甲苯、二甲苯、氯苯中一種或其與間苯二甲醚,二甲基茴香醚中一種以上共混的復合溶劑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華南理工大學,未經華南理工大學許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111340780.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





