[發明專利]一種高故障覆蓋率的阻變存儲器的測試方法

在審

• 申請號: 202111336537.1
• 申請日: 2021-11-12
• 公開（公告）號: CN114171100A
• 公開（公告）日: 2022-03-11
• 發明（設計）人: 鹿洪飛;楊建國;蔣海軍;周睿晰
• 申請（專利權）人: 之江實驗室
• 主分類號: G11C29/18
• 分類號: G11C29/18;G11C29/36
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 孫孟輝

1.一種高故障覆蓋率的阻變存儲器的測試方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟一：對阻變存儲器的存儲單元進行Forming操作，地址升序或者降序均可；

步驟二：按照地址升序的方式，對選中的阻變存儲單元進行讀1和寫0操作，2次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟三：按照地址升序的方式，對選中的阻變存儲單元進行2次連續的讀0操作，隨后執行1次寫1操作，3次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟四：按照地址升序的方式，對選中的阻變存儲單元執行2次連續的讀1操作，隨后執行寫0、寫1和讀1操作，5次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟五：按照地址降序的方式，對選中的阻變存儲單元進行讀1、寫0、讀0操作，3次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟六：按照地址降序的方式，對選中的阻變存儲單元進行寫1、寫0、讀0操作，3次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟七：按照地址升序的方式，對選中的阻變存儲單元進行讀0、寫1、讀1操作，3次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟八：延遲或暫停一段時間，按照地址升序的方式，對選中的阻變存儲單元進行讀1、寫0、讀0操作，3次操作連續且不變更地址值，直至所有阻變存儲單元執行完畢；

步驟九：測試結束并輸出所有阻變存儲單元的故障類型的統計表，該統計表標記了所述阻變存儲器中的每一個故障存儲單元的故障類型。

2.如權利要求1所述的一種高故障覆蓋率的阻變存儲器的測試方法，其特征在于，所述步驟一中的Forming操作具體指：采用一個較高的電壓，對處于初始化階段的較高阻狀態的阻變存儲器進行軟擊穿，激活該阻變存儲器的可操作性性。

3.如權利要求1所述的一種高故障覆蓋率的阻變存儲器的測試方法，其特征在于，所述步驟二至步驟四、以及步驟七和步驟八的地址升序具體是指：對阻變存儲器的存儲單元的地址值由低到高的索引，按照單調遞增的方式，直到執行完所有的存儲單元；所述步驟五至步驟六的地址降序具體是指：對阻變存儲器的存儲單元的地址值由高到低的索引，按照單調遞減的方式，直到執行完所有的存儲單元；所述步驟二至步驟八的讀1操作具體指：讀取所述阻變存儲單元的電阻值，判斷該阻變存儲單元的阻值狀態是否為低阻態并記錄pass或者fail的判斷結果；所述步驟二至步驟八的讀0操作具體指：讀取所述阻變存儲單元的電阻值，判斷該阻變存儲單元的阻值狀態是否為高阻態并記錄pass或者fail的判斷結果；所述步驟二至步驟八的寫1操作具體指：對所述阻變存儲單元施加置位電壓，使得所述阻變存儲單元處于低阻態；所述步驟二至步驟八的寫0操作具體指：對所述阻變存儲單元施加復位電壓，使得所述阻變存儲單元處于高阻態。

4.如權利要求1所述的一種高故障覆蓋率的阻變存儲器測試方法，其特征在于，所述步驟二具體包括以下子步驟：

(2.1) 選擇地址值最小的阻變存儲單元；

(2.2) 讀取所述阻變存儲單元的電阻值，判斷阻變存儲單元的阻值狀態是否為低阻態：若阻變存儲單元的阻值狀態為低阻態，記錄結果為pass；否則記為fail并標記所述存儲單元的故障類型為Open故障；

(2.3) 對所述阻變存儲單元施加復位電壓，使得阻變存儲單元處于高阻態；

(2.4) 地址值加1并選中對應的阻變存儲單元，重復(2.2)、(2.3)步驟直至所有阻變存儲單元執行完畢。