[發明專利]一種多元合金膜層的制備工藝

在審

• 申請號: 202111336302.2
• 申請日: 2021-11-12
• 公開（公告）號: CN114134470A
• 公開（公告）日: 2022-03-04
• 發明（設計）人: 臧龍杰;周俊榮;齊東淼;沈雷振;曾靜
• 申請（專利權）人: 昆山世高新材料科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/14
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

為了解決現有技術中多元合金膜層制備困難的問題，所以本發明提供了一種多元合金膜層的制備工藝，具體包括以下步驟，步驟一，制作濺射性放射腔體，將磁控性濺射源設置在真空腔內部并在真空腔內設置沉積工作臺，且沉積工作臺與磁控性濺射源之間保持固定距離；步驟二，準備基材和不同材質的靶材若干；步驟三，將不同靶材配合焊接在基材上并將其整體放入至濺射性放射腔體內所對應的沉積工作臺上；步驟四，磁控性濺射源工作，在靶材等離子化后充分混合重新成膜在工件上；本發明可解決特殊多元合金膜層的制備的工藝問題，相較于現有技術，制作工藝簡單，成本低廉；且在使用過程中不會增加額外的工時，不會降低原來生產工藝的效率。

技術領域

本發明涉及靶材焊接加工技術領域，尤其涉及一種多元合金膜層的制備工藝。

背景技術

目前膜層趨于高純多元化以及復合膜層，對靶材的制備工藝提出了更高的要求。傳統的多元靶材制備方法如熔煉制備，粉末燒結制備，混合噴涂制備工藝等，熔煉工藝受限材料特性不能互溶，混合噴涂工藝純度含氧量等技術規格達不到要求，粉末燒結工藝又受限于成本太高，為了解決上述問題，所以本發明公開了一種多元合金膜層的制備工藝。

發明內容

發明目的：為了解決背景技術中存在的不足，所以本發明公開了一種多元合金膜層的制備工藝。

技術方案：一種多元合金膜層的制備工藝，具體包括以下步驟，

步驟一，制作濺射性放射腔體，將磁控性濺射源設置在真空腔內部并在真空腔內設置沉積工作臺，且沉積工作臺與磁控性濺射源之間保持固定距離；

步驟二，準備基材和不同材質的靶材若干；

步驟三，將不同靶材配合焊接在基材上并將其整體放入至濺射性放射腔體內所對應的沉積工作臺上；

步驟四，磁控性濺射源工作，在靶材等離子化后充分混合重新成膜在工件上。

作為本發明的一種優選方式，所述靶材材質為鋱靶材和鋁靶材，所述基材為靶管。

作為本發明的一種優選方式，所述鋱靶材和鋁靶材交錯焊接在靶管上。

作為本發明的一種優選方式，所述靶材材質為硅靶材和鎂靶材，所述基材為銅板。

作為本發明的一種優選方式，所述硅靶材和鎂靶材交錯焊接在銅板上。

作為本發明的一種優選方式，所述真空腔外部連接真空系統，所述磁控性濺射源于真空腔外部連接有電氣控制系統。

本發明實現以下有益效果：

本發明可解決特殊多元合金膜層的制備的工藝問題，相較于現有技術，制作工藝簡單，成本低廉；且在使用過程中不會增加額外的工時，不會降低原來生產工藝的效率。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構成本說明書的一部分，示出了符合本公開的實施例，并于說明書一起用于解釋本公開的原理。

圖1為本發明公開的硅靶材和鎂靶材的焊接結構示意圖。

圖2為本發明公開的靶材和鋁靶材的焊接結構示意圖。

具體實施方式

下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。

實施例

參考圖1-2，一種多元合金膜層的制備工藝，具體包括以下步驟，

步驟一，制作濺射性放射腔體，將磁控性濺射源設置在真空腔內部并在真空腔內設置沉積工作臺，且沉積工作臺與磁控性濺射源之間保持固定距離；

步驟二，準備基材和不同材質的靶材若干；