[發(fā)明專利]組合式成像探測器模塊及其制備方法和成像設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111334100.4 | 申請日： | 2021-11-11 |
| 公開（公告）號： | CN114236592A | 公開（公告）日： | 2022-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李新穎;梁國棟;趙健;蔣毅 | 申請（專利權(quán)）人： | 東軟醫(yī)療系統(tǒng)股份有限公司 |
| 主分類號： | G01T1/20 | 分類號： | G01T1/20;G01T1/202;G01T1/208 |
| 代理公司： | 北京中強(qiáng)智尚知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11448 | 代理人： | 焦禹 |
| 地址： | 110167 遼寧*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 組合式 成像 探測器 模塊 及其 制備 方法 設(shè)備 | ||
1.一種組合式成像探測器模塊，其特征在于，所述組合式成像探測器模塊包括多層外圍尺寸相同的閃爍晶體陣列，以及第一光電探測器陣列和第二光電探測器陣列，其中，
每層所述閃爍晶體陣列的晶體像素尺寸沿射線入射方向逐層增大，且每層所述閃爍晶體陣列的晶體像素個(gè)數(shù)是射線出射端的閃爍晶體陣列的晶體像素個(gè)數(shù)的整數(shù)倍，所述第一光電探測器陣列耦合在所述射線入射端的閃爍晶體陣列上，所述第二光電探測器陣列耦合在所述射線出射端的閃爍晶體陣列上，所述多層閃爍晶體陣列的最外層施加有反射層；
其中，所述第一光電探測器陣列用于對低能射線進(jìn)行探測，所述第一光電探測器陣列和所述第二光電探測器陣列用于對高能射線進(jìn)行共同探測。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合式成像探測器模塊，其特征在于，所述組合式成像探測器模塊用于通過所述第一光電探測器陣列接收到的光子數(shù)量分布對所述低能射線的入射位置和能量值進(jìn)行探測；和/或用于通過所述第一光電探測器陣列接收到的光子數(shù)量分布和所述第二光電探測器陣列接收到的光子數(shù)量分布的比值和總和對所述高能射線的入射位置、能量值及作用深度進(jìn)行探測。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合式成像探測器模塊，其特征在于，所述多層閃爍晶體陣列的層數(shù)為兩層或三層，其中，所述多層閃爍晶體陣列的每層閃爍晶體陣列間通過光學(xué)膠進(jìn)行耦合，所述多層閃爍晶體陣列的晶體間通過反射層進(jìn)行耦合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合式成像探測器模塊，其特征在于，所述第一光電探測器陣列的每個(gè)光電探測元件耦合在所述射線入射端的閃爍晶體陣列的每個(gè)晶體像素的側(cè)表面上；所述第二光電探測器陣列的每個(gè)光電探測元件耦合在所述射線出射端的閃爍晶體陣列的每個(gè)晶體像素的正表面或側(cè)表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合式成像探測器模塊，其特征在于，所述耦合在閃爍晶體陣列的晶體像素側(cè)表面上的每個(gè)光電探測元件與所述閃爍晶體陣列的一個(gè)晶體像素相對應(yīng)，且所述耦合在閃爍晶體陣列的晶體像素側(cè)表面上的光電探測元件的長度小于或等于所述閃爍晶體陣列的晶體像素的長度。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的組合式成像探測器模塊，其特征在于，所述耦合在閃爍晶體陣列的晶體像素正表面上的每個(gè)光電探測元件與所述閃爍晶體陣列的一個(gè)或多個(gè)晶體像素相對應(yīng)，且所述耦合在閃爍晶體陣列的晶體像素正表面上的第二光電探測器陣列的外圍尺寸與所述閃爍晶體陣列的外圍尺寸相同。
7.一種組合式成像探測器模塊的制備方法，其特征在于，所述方法用于制備如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的組合式成像探測器模塊，所述方法包括：
選取多種晶體像素尺寸的閃爍晶體陣列，其中，每個(gè)所述閃爍晶體陣列的外圍尺寸相同；
按照晶體像素尺寸由小到大的順序?qū)λ龆鄠€(gè)閃爍晶體陣列進(jìn)行疊加，并通過光學(xué)膠對所述多個(gè)閃爍晶體陣列間進(jìn)行耦合，形成多層閃爍晶體陣列；
在所述多層閃爍晶體陣列的兩端分別耦合一組光電探測器陣列，并在所述多層閃爍晶體陣列的最外層施加反射層，形成所述組合式成像探測器模塊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在選取多種晶體像素尺寸的閃爍晶體陣列之前，所述方法還包括：
選取多種像素尺寸的晶體像素，并對每個(gè)所述晶體像素的正表面進(jìn)行預(yù)處理；
分別對每種像素尺寸的晶體像素間進(jìn)行耦合處理，以形成多種晶體像素尺寸的閃爍晶體陣列，其中，每個(gè)所述閃爍晶體陣列的外圍尺寸相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述在多層閃爍晶體陣列的兩端分別耦合一組光電探測器陣列，并在所述多層閃爍晶體陣列的最外層施加反射層，包括：
在所述多層閃爍晶體陣列兩端上的每個(gè)晶體像素的正表面或側(cè)表面上分別耦合一組光電探測器陣列；
利用反射材料，對所述多層閃爍晶體陣列的外圍進(jìn)行封裝處理。
10.一種成像設(shè)備，其特征在于，所述成像設(shè)備包括如權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的組合式成像探測器模塊。
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