[發明專利]一種混合永磁轉子自漏磁型可變磁通記憶電機

有效

• 申請號: 202111333812.4
• 申請日: 2021-11-11
• 公開（公告）號: CN113964981B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 林鶴云;曾現現;李亞;劉威;趙西方
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H02K1/276
• 分類號: H02K1/276;H02K1/16
• 代理公司: 北京同輝知識產權代理事務所(普通合伙) 11357
• 代理人: 童楊益

1.一種混合永磁轉子自漏磁型可變磁通記憶電機，包括：定子(11)、轉子(21)、繞組(12)、低矯頑力永磁體(22)、徑向高矯頑力永磁體(23)、周向高矯頑力永磁體(24)、磁障(25)和磁橋(26)，其特征在于：所述定子(11)和轉子(21)同軸套設，且兩者之間具有均勻氣隙；轉子(21)每極上分布徑向高矯頑力永磁體(23)、周向高矯頑力永磁體(24)和低矯頑力永磁體(22)；

所述低矯頑力永磁體(22)圓周向“一”字型布置，且低矯頑力永磁體(22)位于轉子(21)外圓處，低矯頑力永磁體(22)充磁方向與其短邊長度方向平行，低矯頑力永磁體(22)徑向對稱軸與轉子(21)極中心線重合，相鄰低矯頑力永磁體(22)的磁化方向始終保持相反，徑向高矯頑力永磁體(23)徑向輪輻狀分布于相鄰低矯頑力永磁體(22)之間，徑向高矯頑力永磁體(23)充磁方向與其短邊長度方向平行，相鄰徑向高矯頑力永磁體(23)的充磁方向相反，周向高矯頑力永磁體(24)位于低矯頑力永磁體(22)的兩端，周向高矯頑力永磁體(24)的充磁方向與其長邊長度方向平行，周向高矯頑力永磁體(24)的另一端布置有磁障(25)，磁障(25)靠近周向高矯頑力永磁體(24)的端面與周向高矯頑力永磁體(24)齊平，磁障(25)另一側靠近氣隙；徑向高矯頑力永磁體(23)的端部與周向高矯頑力永磁體(24)之間存在為漏磁提供路徑的磁橋(26)。

2.根據權利要求1所述的混合永磁轉子自漏磁型可變磁通記憶電機，其特征在于：圓周向“一”字型分布的低矯頑力永磁體(22)的橫截面為矩形。

3.根據權利要求1所述的混合永磁轉子自漏磁型可變磁通記憶電機，其特征在于：所述徑向高矯頑力永磁體(23)的橫截面為矩形，且徑向高矯頑力永磁體(23)的磁動勢與相鄰圓周向“一”字型分布的低矯頑力永磁體(22)的磁動勢形成串聯，徑向高矯頑力永磁體(23)位于相鄰周向低矯頑力永磁體(22)的對稱軸上；周向高矯頑力永磁體(24)的橫截面為矩形，周向高矯頑力永磁體(24)與增磁狀態下相鄰低矯頑力永磁體(22)的磁化方向一致，兩者的磁動勢為并聯關系，周向高矯頑力永磁體(24)與輪輻狀分布的徑向高矯頑力永磁體(23)為串聯關系。