[發明專利]一種半導體材料表面脫脂處理的清洗劑

有效

• 申請號: 202111326662.4
• 申請日: 2021-11-10
• 公開（公告）號: CN113980747B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 王燕清;楊佐東
• 申請（專利權）人: 重慶臻寶科技股份有限公司
• 主分類號: C11D1/83
• 分類號: C11D1/83;C11D3/04;C11D3/06;C11D3/10;C11D3/20;C11D3/60
• 代理公司: 重慶拓尋知識產權代理事務所(普通合伙) 50313
• 代理人: 雷鈔

1.一種用于半導體材料表面脫脂處理的清洗劑，其特征在于，按質量百分比計，所述清洗劑包括以下組分：氫氧化合物2.1％-3.3％、碳酸鹽1.5％-4.5％、焦磷酸鹽2.1％-3.9％、三聚磷酸鉀1.8％-3％、丙酮縮甘油4.5％-6.3％，陰離子表面活性劑1.2％-3％、非離子表面活性劑2.7％-5.4％，余量為水；陰離子表面活性劑和非離子表面活性劑的質量比為1：1.8-1：3；所述陰離子表面活性劑為十二烷基二苯醚二磺酸鈉；所述非離子表面活性劑為H-66和脂肪胺聚氧乙烯醚。

2.根據權利要求1所述的用于半導體材料表面脫脂處理的清洗劑，其特征在于，按質量百分比計，所述清洗劑包括以下組分：氫氧化合物2.6％-3％、碳酸鹽2.6％-3.6％、焦磷酸鹽2.1％-3.5％、三聚磷酸鉀2％-2.6％、丙酮縮甘油4.5％-5.5％，陰離子表面活性劑1.4％-1.8％、非離子表面活性劑2.7％-5.4％，余量為水。

3.根據權利要求1所述的用于半導體材料表面脫脂處理的清洗劑，其特征在于，所述氫氧化合物為氫氧化鈉或氫氧化鉀，碳酸鹽為碳酸鈉或碳酸鉀，焦磷酸鹽為焦磷酸鈉、焦磷酸鉀或焦磷酸二氫二鉀。

4.根據權利要求1所述的用于半導體材料表面脫脂處理的清洗劑，其特征在于，所述半導體材料為硅材料、石英材料或陶瓷材料。

5.根據權利要求1-4任一項所述的用于半導體材料表面脫脂處理的清洗劑在半導體材料加工中的應用。