[發明專利]半導體裝置在審
| 申請號： | 202111326140.4 | 申請日： | 2021-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN114639734A | 公開（公告）日： | 2022-06-17 |
| 發明（設計）人： | 鄭?珍;高到賢;金錫勳;金正澤;樸判貴;梁炆承;崔珉姬;河龍 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉美華;尹淑梅 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：
有源圖案，包括下圖案和設置在下圖案上方并且與下圖案間隔開的多個片圖案；
柵極結構，設置在下圖案上并且圍繞所述多個片圖案；以及
源極/漏極圖案，填充源極/漏極凹陷并且形成在柵極結構的至少一側上，
其中，源極/漏極圖案包括：第一半導體圖案，沿著源極/漏極凹陷延伸并且接觸下圖案；第二半導體圖案，設置在第一半導體圖案上；以及第三半導體圖案，設置在第二半導體圖案上，
第三半導體圖案的下表面設置在所述多個片圖案中的最下面的片圖案的下表面下方，
作為在第三半導體圖案和第二半導體圖案之間的邊界的第三半導體圖案的側表面包括平面部分，并且
在第三半導體圖案的下表面上的第二半導體圖案的厚度與在第三半導體圖案的側表面的平面部分上的第二半導體圖案的厚度不同。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在第三半導體圖案的下表面上的第二半導體圖案的厚度大于在第三半導體圖案的側表面的平面部分上的第二半導體圖案的厚度。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在第三半導體圖案的下表面上的第一半導體圖案的厚度與在第三半導體圖案的側表面的平面部分上的第一半導體圖案的厚度不同。
4.根據權利要求3所述的半導體裝置，其中，在第三半導體圖案的下表面上的第一半導體圖案的厚度大于在第三半導體圖案的側表面的平面部分上的第一半導體圖案的厚度。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，第三半導體圖案的下表面包括平面部分。
6.根據權利要求5所述的半導體裝置，其中，第二半導體圖案的下表面包括平面部分。
7.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
源極/漏極圖案還包括第四半導體圖案，第四半導體圖案設置在第三半導體圖案上并且填充源極/漏極凹陷，并且
第四半導體圖案的上表面包括平面部分。
8.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
源極/漏極圖案還包括第四半導體圖案，第四半導體圖案設置在第三半導體圖案上并且填充源極/漏極凹陷，并且
第四半導體圖案的上表面包括向上凸出部分。
9.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，
源極/漏極圖案還包括第四半導體圖案，第四半導體圖案設置在第三半導體圖案上并且填充源極/漏極凹陷，并且
第四半導體圖案的上表面設置在所述多個片圖案中的最上面的片圖案的上表面下方，并且包括向下凸出部分。
10.根據權利要求9所述的半導體裝置，其中，第四半導體圖案的上表面設置在所述多個片圖案中的與所述多個片圖案中的最上面的片圖案相鄰的片圖案的上表面上方。
11.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，在第三半導體圖案的側表面的平面部分上的第一半導體圖案的厚度在第一半導體圖案的與柵極結構接觸的部分處隨著第一半導體圖案遠離下圖案而減小然后增大。
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