[發明專利]埋入式位線結構、埋入式位線結構的制備方法、及存儲器

在審

• 申請號: 202111318131.0
• 申請日: 2021-11-09
• 公開（公告）號: CN116113233A
• 公開（公告）日: 2023-05-12
• 發明（設計）人: 馮偉;盧經文;朱柄宇
• 申請（專利權）人: 長鑫存儲技術有限公司
• 主分類號: H10B12/00
• 分類號: H10B12/00;H01L23/528
• 代理公司: 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

本公開實施例公開提供了一種埋入式位線結構、埋入式位線結構的制備方法、及存儲器。所述埋入式位線結構，包括：基底，具有位線溝槽；位線金屬，填充于所述位線溝槽內；位線接觸，填充于所述位線溝槽內，并位于所述位線金屬上，所述位線接觸與所述位線金屬之間具有弧形接觸面。本公開實施例通過將位線接觸與位線金屬的接觸面設置為弧形接觸面，增大了位線接觸與位線金屬的接觸面積，增強位線結構的導電性，以及可以避免位線結構的坍塌和損壞的問題，以適應位線結構的微縮導致的位線結構失效。

技術領域

本公開實施例涉及半導體制造領域，尤其涉及一種埋入式位線結構、埋入式位線結構的制備方法、及存儲器。

背景技術

隨著半導體器件的制程微縮，位線結構也會微縮。由于需要光刻刻蝕形成線寬較小的位線溝槽，以實現位線結構的微縮，現有技術中的位線結構不僅容易導致位于位線溝槽的上的材料層傾斜坍塌，而且易導致這些材料層容易損壞和接觸不良，從而導致最終的半導體器件失效。

因此提供在制造工藝中不易損壞且導電接觸面積大的位線結構和位線結構的制造方法是需要解決的技術問題。

發明內容

本公開實施例所要解決的技術問題是提供一種埋入式位線結構、埋入式位線結構的制備方法、及存儲器，達到制造工藝過程中通過增大位線結構的材料層間接觸面積以增強導電性、穩定性的目的，以適應位線結構的微縮。

為了解決上述問題，本公開實施例提供了一種埋入式位線結構，包括：基底，具有位線溝槽；位線金屬，填充于所述位線溝槽內；位線接觸，填充于所述位線溝槽內，并位于所述位線金屬上，所述位線接觸與所述位線金屬之間具有弧形接觸面。

在一些實施例中，所述位線溝槽包括：第一溝槽段，所述位線金屬填充于所述第一溝槽段內；第二溝槽段，所述位線接觸填充于所述第二溝槽段內，所述第二溝槽段沿第一溝槽段的方向延伸，所述第二溝槽段的橫截面積小于所述第一溝槽段的橫截面積。

在一些實施例中，所述埋入式位線結構還包括：第一阻擋層，位于所述位線溝槽內，和/或，第二阻擋層，位于所述第一阻擋層的表面，所述位線金屬覆蓋所述第二阻擋層的底壁和側壁。

在一些實施例中，所述埋入式位線結構還包括：側墻，填充于所述位線溝槽內，并位于所述位線接觸上，所述側墻至少部分延伸至所述基底內。

在一些實施例中，所述位線接觸在所述基底上的投影位于所述位線金屬在所述基底上的投影內。

本公開實施例還提供了一種埋入式位線結構的制備方法，包括：提供一基底，并于所述基底內形成位線溝槽；于所述位線溝槽內填充位線金屬；于所述位線金屬上形成位線接觸，所述位線接觸與所述位線金屬之間具有弧形接觸面。

在一些實施例中，在所述于所述位線溝槽內填充位線金屬之前，所述制備方法還包括：擴大部分所述位線溝槽，并形成第一溝槽段；在剩余所述位線溝槽上形成第二溝槽段，所述第二溝槽段沿第一溝槽段的方向延伸，所述第二溝槽段的橫截面積小于所述第一溝槽段的橫截面積。在動態隨機存取存儲器制程微縮導致的位線結構微縮的情況下，

在一些實施例中，所述擴大部分所述位線溝槽，并形成第一溝槽段的方法包括：在所述位線溝槽內沉積第一介電層，所述第一介電層覆蓋所述位線溝槽的內壁；在所述第一介電層上沉積第二介電層；回刻蝕部分所述第二介電層，并暴露部分第一介電層；處理暴露部分的所述第一介電層以形成第三介電層，所述第三介電層與所述第二介電層的性能不同；移除剩余的所述第二介電層和所述第一介電層，并暴露所述基底；側向刻蝕暴露部分的所述基底，以擴大部分所述位線溝槽，并形成所述第一溝槽段。

在一些實施例中，使用氧等離子處理所述暴露部分的第一介電層以形成第三介電層，所述第一介電層為氮化硅，所述第三介電層為氮氧化硅。