[發明專利]一種集成式隔離封裝的壓力傳感器在審
| 申請號: | 202111314694.2 | 申請日: | 2021-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN114001846A | 公開(公告)日: | 2022-02-01 |
| 發明(設計)人: | 王剛;劉磊;徐改 | 申請(專利權)人: | 麥克傳感器股份有限公司 |
| 主分類號: | G01L1/14 | 分類號: | G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責任公司 61200 | 代理人: | 李鵬威 |
| 地址: | 721006 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 隔離 封裝 壓力傳感器 | ||
1.一種集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,包括燒結基座(6);
燒結基座(6)一端上設置壓圈(1),壓圈(1)與燒結基座(6)之間設置隔離膜片(2);燒結基座(6)另一端上設置基板(10),基板(10)上設置補償電路,補償電路與燒結基座(6)的管腳連接;基板(10)與燒結基座(6)之間設置塑料墊圈(9);燒結基座(6)內設置陶瓷厚膜電路基底(5),陶瓷厚膜電路基底(5)上設置連接電路、MEMS硅電容壓力芯片(3)和ASIC信號處理芯片(4);MEMS硅電容壓力芯片(3)通過連接電路與ASIC信號處理芯片(4)連接,ASIC信號處理芯片(4)通過連接電路與燒結基座(6)的管腳連接;燒結基座(6)一端上開設硅油灌注孔,硅油灌注孔內設置密封件(8),燒結基座(6)內填充硅油;
其中,MEMS硅電容壓力芯片(3)用于將被測壓力轉換為電容信號,并發送至ASIC信號處理芯片(4);ASIC信號處理芯片(4)用于電容信號的溫度補償和非線性修正,得到修正電容信號;補償電路用于修正電容信號的濾波和輸出。
2.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述補償電路為輸出為I2C接口協議的補償電路。
3.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,還包括接插件(11),接插件(11)與補償電路的輸出端連接。
4.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述燒結基座(6)的外側開設密封環槽,密封環槽內設置密封圈(7)。
5.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述密封環槽的寬度為2.4mm或3.5mm。
6.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述陶瓷厚膜電路基底(5)為雙面厚膜電路基底,連接電路設置在雙面厚膜電路基底的兩側,雙面厚膜電路基底遠離MEMS硅電容壓力芯片(3)和ASIC信號處理芯片(4)的一側上設置覆蓋該側連接電路的絕緣層。
7.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述MEMS硅電容壓力芯片(3)和ASIC信號處理芯片(4)粘接在陶瓷厚膜電路基底(5)上。
8.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述陶瓷厚膜電路基底(5)為96%Al2O3陶瓷材質。
9.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述陶瓷厚膜電路基底(5)的熱膨脹系數與MEMS硅電容壓力芯片(3)和ASIC信號處理芯片(4)的熱膨脹系數之間的誤差不大于3.0ppm/℃。
10.根據權利要求1所述的集成式隔離封裝的壓力傳感器,其特征在于,所述燒結基座(6)為不銹鋼一體化燒結基座(6),所述壓圈(1)與燒結基座(6)焊接連接。
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