[發明專利]一種卷曲PtPd納米枝晶及其制備方法和應用

有效

• 申請號: 202111310318.6
• 申請日: 2021-11-05
• 公開（公告）號: CN113909487B
• 公開（公告）日: 2023-08-25
• 發明（設計）人: 許冬冬;郭珂;滕玉香;范東平
• 申請（專利權）人: 南京師范大學
• 主分類號: B22F9/24
• 分類號: B22F9/24;B22F1/054;B82Y40/00;C25B1/04;C25B11/089;H01M4/92
• 代理公司: 南京眾聯專利代理有限公司 32206
• 代理人: 王荷英

1.一種卷曲PtPd納米枝晶的制備方法，其特征在于，所述卷曲PtPd納米枝晶利用表面活性劑誘導結構自發卷曲，所述卷曲PtPd納米枝晶未引入無機載體；所述卷曲PtPd納米枝晶為面心立方結構，卷曲PtPd納米枝晶的分支直徑為1.5～4?nm，納米枝晶的直徑為20~75nm；

所述制備方法包括以下步驟：

（1）將表面活性劑加熱溶解后，加入鈀源、鉑源和還原劑，保溫反應，自然冷卻，得到混合物；

（2）將步驟（1）所得的混合物洗滌、離心分離、真空干燥，獲得產物卷曲PtPd納米枝晶；

所述步驟（1）中表面活性劑為N,N-二甲基-N-羧甲基-二十二烷基溴化銨、N,N-二甲基-N-羧甲基-二十二烷基氯化銨、N,N-二甲基-N-羧甲基-二十烷基溴化銨、N,N-二甲基-N-羧甲基-二十烷基氯化銨中的一種或多種；所述還原劑為抗壞血酸。

2.根據權利要求1所述的一種卷曲PtPd納米枝晶的制備方法，其特征在于，所述鈀源與鉑源的摩爾比為1：0.08~25。

3.根據權利要求1所述的一種卷曲PtPd納米枝晶的制備方法，其特征在于，所述鈀源與表面活性劑的摩爾比為1：16~220；所述還原劑與鈀源的摩爾比為0.1~1.4：1。

4.根據權利要求1所述的一種卷曲PtPd納米枝晶的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中保溫反應的加熱方式為烘箱加熱，保溫反應的溫度為20～40℃，保溫反應的時間為0.5～12小時。

5.根據權利要求1所述的一種卷曲PtPd納米枝晶的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中鉑源為H₂PtCl₆·H₂O，所述鈀源為H₂PdCl₄、Na₂PdCl₄、H₂PdBr₄、Na₂PdBr₄、Pd(NO₃)₂中的一種或多種。

6.根據權利要求1所述的一種卷曲PtPd納米枝晶的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中洗滌的溶液為體積比3:1的乙醇與水的混合溶液。

7.一種如權利要求1-6任一項所述制備方法制備的卷曲PtPd納米枝晶作為電催化劑在酸性析氫和堿性甲醇氧化中的應用。