[發明專利]一種光電耦合器的篩選方法

在審

• 申請號: 202111310081.1
• 申請日: 2021-11-05
• 公開（公告）號: CN114113961A
• 公開（公告）日: 2022-03-01
• 發明（設計）人: 高康;黃俊民;何丁財;孫鳳義;董海昌
• 申請（專利權）人: 珠海市大鵬電子科技有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 盧澤明

1.一種光電耦合器的篩選方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟S1，選取不同批次的光電耦合器產品；

步驟S2，將選取的光電耦合器安裝在測試臺上，在20mA的電流條件下，通過重復多次的VF值測試，觀察線性變化，若線性穩定且VF值在規定范圍內，則判定光電耦合器產品的質量一致性良好；

步驟S3，采用200mA大電流連續沖擊200次，檢驗光耦內部芯片的損傷，若測試數據無波動則判定光電耦合器產品的質量穩定；

步驟S4，采用50mA和10mA的高低電流連續沖擊，檢驗光耦內部芯片的損傷，并依據光電耦合器產品的阻值，紅外發射芯片的VF值與電流的線性特性，采用50mA和10mA的大小電流沖擊測試光電耦合器產品的VF值，相互之間進行差值計算，依據光電耦合器VF特性值波動的變化線性差異，來篩選存在超聲波鍵合焊接不穩定、導致紅外發射芯片阻值變化大的不良品。

2.根據權利要求1所述的一種光電耦合器的篩選方法，其特征在于：所述步驟S4中還包括：

光電耦合器產品測試中，在10mA、20mA、50mA、200mA不同電流條件下分別測試VF值；

并針對10mA、20mA、50mA、200mA不同條件下的VF值，相互之間進行差值計算，計算不同條件下的數據誤差；

結合制程選取的單芯片20mA條件下VF原始值范圍為1.24-1.28V，大小電流對比觀察200mA與10mA條件下誤差波動相對較大，故此選擇50mA與10mA條件下誤差作為參考值，范圍限定為≤0.220，由此判定，VF誤差值大于0.27的光電耦合器產品為虛焊不良產品。