[發明專利]一種高耐磨滲花瓷質拋光磚及其制備方法有效
| 申請號: | 202111306109.4 | 申請日: | 2021-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN113979787B | 公開(公告)日: | 2022-12-16 |
| 發明(設計)人: | 謝志軍;范周強;楊元東;黃秋立;曹國芹 | 申請(專利權)人: | 蒙娜麗莎集團股份有限公司 |
| 主分類號: | C04B41/89 | 分類號: | C04B41/89;C03C8/00;C03C8/20;C03C8/02;C04B35/14;C04B33/13;C04B33/132 |
| 代理公司: | 上海瀚橋專利代理事務所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;牛彥存 |
| 地址: | 528211 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 耐磨 滲花瓷質 拋光 及其 制備 方法 | ||
1.一種高耐磨滲花瓷質拋光磚的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括以下步驟:
制備坯體;坯體在25~600℃的平均膨脹系數為8.5~8.9×10-6 ℃-1;
在坯體表面施高膨脹面釉;所述高膨脹面釉的化學組成包括:以質量百分比計,SiO2:60%~79%,Al2O3:23%~29%,堿土金屬氧化物:0.2%~0.6%,堿金屬氧化物:5.1%~7.1%;所述高膨脹面釉在25~600℃的平均膨脹系數為8.9~9.3×10-6 ℃-1;所述高膨脹面釉燒成后的吸水率控制在2~6wt%;
在施高膨脹面釉后的坯體表面施滲花面釉;滲花面釉在25~600℃的平均膨脹系數為8.0~8.4×10-6 ℃-1;
在施滲花面釉后的坯體表面噴墨打印滲花墨水;
將噴墨打印滲花墨水后的坯體在1160~1195℃、燒成時間為65~85min下燒成并拋光,得到所述高耐磨滲花瓷質拋光磚。
2.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述高膨脹面釉的比重為1.32~1.38,施加量為160~250克/平方米。
3.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述滲花面釉的化學組成包括:以質量百分比計,SiO2:59%~69%,Al2O3:15%~25%,堿土金屬氧化物:0.5%~4%,堿金屬氧化物:4.7%~7.3%,ZrO2:3.5%~16%。
4.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述滲花面釉的比重為1.76~1.85,施加量為575~675克/平方米。
5.根據權利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述滲花面釉的原料組成包括:以重量份計,鉀長石18~35份,鈉長石10~30份,水洗高嶺土4~12份,煅燒高嶺土2~10份,石英2~12份,高鋯熔塊 15~35份,亞微米級氧化鋯3~10份,超細氧化鋁3~10份,燒滑石3~12份,納米二氧化硅2~5份,鈦白粉0.3~0.6份。
6.根據權利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述高鋯熔塊以硅酸鋯的形式引入鋯,化學組成包括:以質量百分比計,SiO2:55%~69%,Al2O3:5%~12%,MgO:0.4%~4.5%,K2O:0.5%~4.5%,Na2O:2.2%~3.8%,ZrO2:20%~31%。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的制備方法獲得的高耐磨滲花瓷質拋光磚。
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