[發明專利]一種ZnO氣敏材料的低溫制備方法及其在H2 在審
| 申請號: | 202111304811.7 | 申請日: | 2021-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN114371254A | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發明(設計)人: | 郭友敏 | 申請(專利權)人: | 安徽大學 |
| 主分類號: | G01N33/00 | 分類號: | G01N33/00 |
| 代理公司: | 合肥上博知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 34188 | 代理人: | 李輝 |
| 地址: | 230061 安*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 zno 材料 低溫 制備 方法 及其 base sub | ||
本發明公開了一種ZnO氣敏材料的低溫制備方法及其在H2S氣體傳感器中的應用,屬于化學傳感器技術領域。其中低溫制備方法如下:(1)稱取Zn(Ac)2·2H2O,加入去離子水,并進行攪拌至完全溶解,得到溶解液;(2)移取NH3·H2O溶液加入步驟(1)制備的溶解液中,密封,放置烘箱中烘干處理;(3)將步驟(2)中靜置處理后的溶解液,去除上層清液,并將剩余物進行離心處理,再次去除上層清液,接著用乙醇超聲清洗三次,得到白色凝膠狀沉積物,轉移至烘箱中烘干處理,最后研磨成粉體,轉移至高溫處理,即可。本發明著重于降低合成ZnO氣敏材料的成本及燒結溫度,低碳排放,同時結合MEMS應用在硫化氫氣體檢測,有著突出的靈敏性及選擇性,具有重要的市場應用前景。
技術領域
本發明屬于化學傳感器技術領域,具體地說,涉及一種ZnO氣敏材料的低溫制備方法及其在H2S氣體傳感器中的應用。
背景技術
氧化鋅(ZnO)是ⅡB-ⅥA族半導體化合物材料,其禁帶寬度是3.37eV,在常溫下自由激子束縛能為60meV。有著獨特的量子尺寸效應、表面效應、壓電效應等,是非常理想的光電器件材料,在各個領域都得到了廣泛的研究。使得氧化鋅不但在光學、電學、生物醫學等領域發揮重要的作用,而且作為氣敏材料用于氣體傳感器也存在很大的應用前景。因此,不同形態的氧化鋅制備一直是很多科研學者研究的熱點。制備氧化鋅材料的方法較多,主要是直接沉淀法、固相法、熔鹽法、液相合成法和氣相法。
目前,市場上合成ZnO的方法有很多,主要有直接沉淀法、固相法、熔鹽法、液相合成法和氣相法。如孟等人使用水熱法合成了ZnO多孔微球氣敏材料,工作溫度在250℃下,對10ppm的甲醛氣體的靈敏度為6.3,但此制備方法實驗操作復雜,流程較多,需要多次反應燒結,最終燒結溫度400℃。汪等人使用靜電紡絲技術合成了ZnO納米纖維氣敏材料,工作溫度在300℃下,對1000ppm的丙酮氣體靈敏度為47,工作溫度在400℃下,對10ppm的H2S氣體靈敏度為12,此方法需要實驗藥品較多,且需要施加8-12kV的電壓,燒結溫度為600-650℃。張等人用水熱法制備了g-C3N4/ZnO氣敏材料,工作溫度在280℃下,對100ppm的乙醇氣體靈敏度為84.1,但此方法需要經過兩次高溫燒結,最終燒結溫度在400-450℃,且產物存在著含碳基團,增加了碳排放。此外,用于檢測H2S氣體傳感器的方法有多種,如電化學型、紅外型、金屬氧化物半導體(MOS)型、催化燃燒式等。其中,金屬氧化物半導體氣體傳感器因其使用壽命長、操作簡單和低成本,同時結合微電子機械系統(MEMS)微加熱芯片體積小、功耗低、易于集成等優點,在檢測H2S氣體方面具有非常重要的前景。為了響應國家在2030年實現“碳達峰”和2060年實現“碳中和”的背景下,本發明實現低溫簡單制備ZnO氣敏材料,降低碳排放;本發明的ZnO制備方法原材料簡單、燒結溫度低且可大規模生產,有著廣闊的市場應用前景。
現有技術方案:
申請號為201610141734.3、公開號為CN105645460A、公開日期為2016.6.08、名稱為一種花狀ZnO多孔微球的制備及應用方法公布了將Zn(NO3)2·6H2O、尿素、PEG20000配置成前驅體溶液;然后進行100℃的水熱反應,最后在400℃馬弗爐煅燒,得到ZnO多孔微球,該實驗方法合成需三種合成原料,操作復雜,流程較多,需要多次反應燒結。
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