[發明專利]具有高散熱性能的SOI晶圓及其制備方法有效
| 申請號： | 202111303138.5 | 申請日： | 2021-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN113764366B | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發明（設計）人： | 劉森;劉海彬;關宇軒;劉興龍;班桂春 | 申請（專利權）人： | 微龕（廣州）半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/367 | 分類號： | H01L23/367;H01L27/12;H01L23/373;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 賀妮妮 |
| 地址： | 510663 廣東省廣州市高新技術*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 散熱 性能 soi 及其 制備 方法 | ||
1.一種具有高散熱性能的SOI晶圓的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：
提供體硅晶圓，并對所述體硅晶圓進行刻蝕，以在所述體硅晶圓中形成自其表面向內延伸的溝槽；
于所述溝槽中填充高熱導率材料，并采用散熱膠固定，所述高熱導率材料為碳納米管或二硫化鉬；
于所述高熱導率材料所在面的所述體硅晶圓上形成硅器件晶圓；
于所述硅器件晶圓上形成保護層；
采用注氧隔離工藝，于所述硅器件晶圓底部形成預設厚度的埋氧層，剩余厚度的所述硅器件晶圓形成為硅器件層。
2.根據權利要求1所述的具有高散熱性能的SOI晶圓的制備方法，其特征在于：采用外延工藝形成所述硅器件晶圓。
3.根據權利要求1所述的具有高散熱性能的SOI晶圓的制備方法，其特征在于：所述保護層為氧化硅層。
4.一種具有高散熱性能的SOI晶圓，所述SOI晶圓采用如權利要求1~3中任意一項所述的具有高散熱性能的SOI晶圓的制備方法制備得到。
5.根據權利要求4所述的具有高散熱性能的SOI晶圓，其特征在于：所述高熱導率材料為碳納米管，所述碳納米管在所述溝槽中沿所述溝槽的長度方向設置或沿所述溝槽的寬度方向設置或沿所述溝槽的深度方向設置。
6.根據權利要求4所述的具有高散熱性能的SOI晶圓，其特征在于：所述高熱導率材料為二硫化鉬，所述二硫化鉬在所述溝槽中沿所述溝槽的深度方向呈層狀依次層疊，且相鄰兩層之間通過范德瓦爾斯力結合。
7.根據權利要求4所述的具有高散熱性能的SOI晶圓，其特征在于：所述體硅晶圓為P型摻雜或N型摻雜，摻雜濃度介于1014 cm-3~1016cm-3之間。
8.根據權利要求4所述的具有高散熱性能的SOI晶圓，其特征在于：所述溝槽在所述體硅晶圓中沿相同方向平行設置。
9.根據權利要求4所述的具有高散熱性能的SOI晶圓，其特征在于：所述溝槽在所述體硅晶圓中為周向連通的連通槽。
10.根據權利要求9所述的具有高散熱性能的SOI晶圓，其特征在于：所述連通槽互相間隔設置或互相嵌套設置。
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