[發明專利]密封部件中的放電減少

在審

• 申請號: 202111302960.X
• 申請日: 2021-11-04
• 公開（公告）號: CN114465219A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發明（設計）人: S·A·謝默
• 申請（專利權）人: 貝克休斯油田作業有限責任公司
• 主分類號: H02H9/04
• 分類號: H02H9/04
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 申發振

1.一種系統，包括：

密封傳感器組件，所述密封傳感器組件包括：

氣密阻隔件；

高壓傳感器；

輸入電路，所述輸入電路被配置為向所述高壓傳感器提供輸入電壓；

輸出電路，所述輸出電路被配置為向數據處理器提供輸出電壓；以及

放電減少電路，所述放電減少電路被配置在所述密封傳感器組件內，以接收用于經由所述輸入電路提供給所述高壓傳感器的所述輸入電壓并且經由所述輸出電路向所述數據處理器提供所述輸出電壓，所述輸出電壓指示與在所述高壓傳感器處接收的光的量子相對應的輸出信號，其中所述放電減少電路被配置為減少與所述輸出電路和第一絕緣體之間的氣隙的電離擊穿相關聯的放電發生率，所述第一絕緣體穿過所述氣密阻隔件將所述輸出電路輸送到所述數據處理器。

2.根據權利要求1所述的系統，其中所述放電減少電路包括偏置電阻器和耦合電容器。

3.根據權利要求2所述的系統，其中所述偏置電阻器被配置在所述高壓傳感器的輸入端和所述高壓傳感器的輸出端之間。

4.根據權利要求2所述的系統，其中所述耦合電容器被配置在所述偏置電阻器的輸出端和所述第一絕緣體的引腳之間，所述第一絕緣體的所述引腳穿過所述密封傳感器組件的所述氣密阻隔件輸送所述輸出電路。

5.根據權利要求1所述的系統，其中所述高壓傳感器包括閃爍器和光電陰極，并且所述密封傳感器組件包括光電倍增管。

6.根據權利要求5所述的系統，其中所述光電倍增管包括加壓氣體。

7.根據權利要求1所述的系統，其中所述輸入電壓由耦合到所述輸入電路的高壓電源提供。

8.根據權利要求7所述的系統，其中所述高壓電源被配置為提供250V至2000V之間的所述輸入電壓。

9.根據權利要求1所述的系統，其中所述密封傳感器組件包括第二絕緣體，所述第二絕緣體穿過所述氣密阻隔件從所述高壓電源輸送所述輸入電路。

10.根據權利要求1所述的系統，其中所述氣密阻隔件由包括二氧化硅、二氧化鎂、陶瓷或它們的組合中的一者的材料形成。

11.一種方法，包括：

在被配置在密封傳感器組件內的高壓傳感器處接收輸入電壓，所述輸入電壓經由耦合所述高壓傳感器和被配置在所述密封傳感器組件內的放電減少電路的輸入電路接收，所述放電減少電路被配置為向所述高壓傳感器提供所述輸入電壓；以及

經由所述放電減少電路提供所述高壓傳感器的輸出電壓，所述輸出電壓經由輸出電路提供，所述輸出電路經由所述放電電路將所述高壓傳感器耦合到數據處理器，所述輸出電壓指示與在所述高壓傳感器處接收的光的量子相對應的輸出信號，其中所述放電減少電路被配置在所述密封傳感器組件內，以減少與所述輸出電路和第一絕緣體之間的氣隙的電離擊穿相關聯的放電發生率，所述第一絕緣體穿過所述密封傳感器組件的氣密阻隔件將所述輸出電路輸送到所述數據處理器。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述放電減少電路包括偏置電阻器和耦合電容器。

13.根據權利要求12所述的方法，其中所述偏置電阻器被配置在所述高壓傳感器的輸入端和所述高壓傳感器的輸出端之間。

14.根據權利要求12所述的方法，其中所述耦合電容器被配置在所述偏置電阻器的輸出端和所述第一絕緣體的引腳之間。

15.根據權利要求11所述的方法，其中所述高壓傳感器包括閃爍器和光電陰極，并且所述密封傳感器組件包括光電倍增管。