[發明專利]一種高靈敏光檢測裝置

在審

• 申請號: 202111301591.2
• 申請日: 2021-11-04
• 公開（公告）號: CN114018400A
• 公開（公告）日: 2022-02-08
• 發明（設計）人: 于孟今
• 申請（專利權）人: 于孟今
• 主分類號: G01J1/42
• 分類號: G01J1/42;G01J9/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種高靈敏光檢測裝置，其特征在于，包括反鐵磁層、釘扎層、勢壘層、自由層、貴金屬微納結構，所述反鐵磁層的材料為硬磁反鐵磁材料，所述釘扎層置于所述反鐵磁層上，所述釘扎層的材料為自旋性極化率高的金屬或半金屬，所述勢壘層置于所述釘扎層上，所述自由層置于所述勢壘層上，所述自由層的材料為磁各向異性弱的軟磁材料，所述勢壘層隔開所述釘扎層和所述自由層，所述貴金屬微納結構周期性地置于所述自由層上。

2.如權利要求1所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述貴金屬微納結構相對于所述自由層的表面傾斜，所述貴金屬微納結構部分地置于所述自由層內。

3.如權利要求2所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：還包括第二貴金屬微納結構，所述第二貴金屬微納結構置于所述自由層內。

4.如權利要求1所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述自由層的表面設有凹陷部，所述貴金屬微納結構設置在所述凹陷部內。

5.如權利要求4所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述凹陷部為楔形凹槽。

6.如權利要求4所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述凹陷部貫穿所述自由層，所述貴金屬微納結構置于所述凹陷部底部的所述勢壘層上。

7.如權利要求6所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述貴金屬微納結構的高度小于所述凹陷部的深度。

8.如權利要求7所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述凹陷部周期性排布。

9.如權利要求8所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：所述凹陷部排布的周期為方形周期。

10.如權利要求9所述的高靈敏光檢測裝置，其特征在于：在同一所述凹陷部內，所述貴金屬微納結構的個數多于1個。